Технические науки
жүктеу/скачать 8,18 Mb.
|
Эти полученные данные близки к экспериментальным результатам, полученным в интервале температур 150-300 К (при этих температурах рассеяние в основном на акустических фононах). Разные величины насыщения магнетосопротивления связаны с изменением фактора рассеяния с температурой и с некоторым уменьшением концентрации носителей тока (рис.2) в пределе 150-300 К. Выше Т=150 К концентрация носителей тока практически остается постоянной. Отсутствие насыщения магнетосопротивления при Т<150 К связано с усилением влияния квантования энергии носителей тока. На рис.2 приведена зависимость концентрации электронов в кремнии n-типа от температуры. Как видим, концентрация электронов, начиная с Т=150 К, перестает зависеть от температуры, то есть остается постоянной. 
Рисунок 2 – Зависимость концентрации электронов от температуры для кремния n-типа (  ).
Более детальное объяснение насыщения магнетосопротивления можно получить из результатов измерения температуры при нескольких значениях напряженности магнитного поля для образца  . На рис.3 приведены зависимость поперечного магнетосопротивления от температуры кремния n-типа.
жүктеу/скачать 8,18 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|