Ilim h
á
m jámiyet. №2.2023
13
На рис. 2 и рис. 3 представлены характеристики ток-
напряжение и напряжение-мощность (кривые IV и PV)
соответственно при различном облучении с постоянной
температурой на основе уравнений моделирования.
Отметим, что в настоящей работе солнечное излучение
изменяется со значениями 1000, 800, 600, 400, 200 и 550
Вт/м
2 .
а это средняя освещенность, при температуре в
стандартных условиях 25°С. На рисунках показано, что
ток фотоэлектрической ячейки зависит от излучения
при постоянной температуре. Однако, когда облучение
увеличивается, ток и напряжение фотоэлемента увели-
чиваются. Это приводит к увеличению выходной мощ-
ности в этом рабочем состоянии.
Рис. 3. Характеристики фтоэлемента при различном
облучении при постоянной температуре 25
o
C.
На рисунках ниже показано изменение вольтампер-
ной характеристики фотоэлектрической ячейки при
различных температурах и освещенности. Как видно из
рисунков, фотоэлектрические характеристики умень-
шается при повышении рабочей температуры, а вы-
ходное напряжение резко снижается, что повлияет на
снижение полезной выходной мощности при повыше-
нии температуры.
Рис. 4. ВАХ при переменном облучении
при постоянной температуре 25
o
C.
Согласно анализу и получению результатов,
ВАХ при изменении сопротивления модуля при сохра-
нении постоянной температуры и облучения при 1000
Вт/м
2
и 25°C соответственно. В этом случае влияние
сопротивления приводит к отклонению точки макси-
мальной мощности на большую величину. Эффект
очень мал, и в некоторых случаях им можно прене-
бречь. Обычно значение R
sh
очень велико, поэтому им
можно пренебречь.
Заключение.
Таким образом, мы определяли имитаци-
онную модель фотоэлектрической ячейки на основе
схемы, чтобы позволить оценить электрическое пове-
дение ячейки в отношении изменений параметров
окружающей среды температуры и освещенности. Точ-
ная электрическая модель фотоэлектрического модуля
представлена на основе математических уравнений.
Достарыңызбен бөлісу: