Ilim h
á
m jámiyet. №2.2023
16
Рис.1
. Вольтамперные характеристики диодов с барьером
Шоттки при разных временах СВЧ облучения:
0 - исходный образец; 1-4 – после СВЧ обработки
в течение 1, 2, 5 и 10с соответственно
(
)
где
I
-полный ток,
-ток насы-
щения
A
постоянная
Ричардсона
SiC6H,
Т-
температура,
B
-высота барьера,
n
-фактор неидеаль-
ности,
k
-постоянная Больцмана,
S
-площадь контакта,
e
-заряд электрона.
Рассчитанные из этих уравнений
в
и n до и после
сверхвысокочастотной обработки представлены на рис
2 а, и б. Каждая выборка имела по 100 микродиодов с
рабочей площадью ~3,14∙10
-4
см
2
. Как видно из рис. 2 а,
наиболее вероятная величина
b
при сверхвысокоча-
стотной обработке до 5 с сравнительно с контрольной
величиной – возрастает. Судя по рис. 2.б, фактор иде-
альности n этих диодных структур при облучении до 5с
практически не изменяет свое значение.
Как известно [5], на межфазные взаимодействия на
границе раздела металл-SiC существенное влияние ока-
зывают ионизирующая радиация и термообработка.
При этом возможны как гомогенизация структурных
свойств границы раздела, обуславливающая повышение
выхода приборных структур с
идентичными параметрами, так и структурно-
примесное разупорядочение и значительный массопе-
ренос компонентов контакта, определяющие ухудше-
ние параметров приборных структур. Данные по влия-
нию сверхвысокочастотного излучения на межфазные
взаимодействия в контакте TiB
x
-n-6H-SiC, как, впро-
чем, и на границах раздела металл- SiC в литературе
отсутствуют. Нами была предпринята попытка иссле-
довать профили распределения компонентов в контакте
TiB
x
-n-6H-SiC до и после сверхвысокочастотной обра-
ботки в течении 5 секунд.
Временной интервал 5 с выбран с целью сравнения
профилей распределения компонентов в контакте с па-
раметрами диодных структур с барьером Шоттки TiB
x
-
n-6H-SiC, облученных в этом же режиме и в которых
именно в этом режиме наблюдались улучшения пара-
метров.
Как показывают результаты исследований сверхвы-
сокочастотного воздействия оказывает влияние на
электрические характеристики, обусловленное различ-
ной природой этих воздействий.
В частности, при сверхвысокочастотной обработке
не наблюдается разогрев образцов. Исследование ди-
намики изменения высоты барьера и коэффициента
неидеальности прямой ветви вольт-амперной характе-
ристики от времени экспозиции сверхвысокочастотного
излучения показало, что высота барьера имеет макси-
мальное значение при 5-6 с., а коэффициент неидеаль-
ности остается неизменной до 5 с., (см. рис. 2.)
Таким образом воздействие сверхвысокочастотным
излучением в течение 5 с. является наиболее оптималь-
ным для улучшения параметров диодов с барьером
Шоттки на основе TiB
x
(ZrBx)-n-SiC.
Таким образом, с ростом времени экспозиции до 10с
улучшаются
параметры
поверхностно-барьерной
структуры Au-TiB
x
-n-SiC 6H, а именно высота барьера
растет, фактор идеальности и величина обратного тока
уменьшается
Достарыңызбен бөлісу: |