Научно-методический журнал Серия: Естественно-технические науки. Социальные и экономические науки. Филологические науки



Pdf көрінісі
бет23/231
Дата30.07.2023
өлшемі4,81 Mb.
#179664
1   ...   19   20   21   22   23   24   25   26   ...   231
Байланысты:
2-сан 2023 (1-серия)

Ilim h
á
m jámiyet. №2.2023
16
Рис.1
. Вольтамперные характеристики диодов с барьером 
Шоттки при разных временах СВЧ облучения:
0 - исходный образец; 1-4 – после СВЧ обработки 
в течение 1, 2, 5 и 10с соответственно
(
)
где
I
-полный ток, 
-ток насы-
щения


A
постоянная 
Ричардсона 
SiC6H, 
Т-
температура, 
B

-высота барьера, 
n
-фактор неидеаль-
ности, 
k
-постоянная Больцмана, 
S
-площадь контакта
e
-заряд электрона. 
Рассчитанные из этих уравнений 

в
и n до и после 
сверхвысокочастотной обработки представлены на рис 
2 а, и б. Каждая выборка имела по 100 микродиодов с 
рабочей площадью ~3,14∙10
-4
см
2
. Как видно из рис. 2 а, 
наиболее вероятная величина 

b
при сверхвысокоча-
стотной обработке до 5 с сравнительно с контрольной 
величиной – возрастает. Судя по рис. 2.б, фактор иде-
альности n этих диодных структур при облучении до 5с 
практически не изменяет свое значение.
Как известно [5], на межфазные взаимодействия на 
границе раздела металл-SiC существенное влияние ока-
зывают ионизирующая радиация и термообработка. 
При этом возможны как гомогенизация структурных 
свойств границы раздела, обуславливающая повышение 
выхода приборных структур с
идентичными параметрами, так и структурно-
примесное разупорядочение и значительный массопе-
ренос компонентов контакта, определяющие ухудше-
ние параметров приборных структур. Данные по влия-
нию сверхвысокочастотного излучения на межфазные 
взаимодействия в контакте TiB
x
-n-6H-SiC, как, впро-
чем, и на границах раздела металл- SiC в литературе 
отсутствуют. Нами была предпринята попытка иссле-
довать профили распределения компонентов в контакте 
TiB
x
-n-6H-SiC до и после сверхвысокочастотной обра-
ботки в течении 5 секунд. 
Временной интервал 5 с выбран с целью сравнения 
профилей распределения компонентов в контакте с па-
раметрами диодных структур с барьером Шоттки TiB
x
-
n-6H-SiC, облученных в этом же режиме и в которых 
именно в этом режиме наблюдались улучшения пара-
метров. 
Как показывают результаты исследований сверхвы-
сокочастотного воздействия оказывает влияние на 
электрические характеристики, обусловленное различ-
ной природой этих воздействий. 
В частности, при сверхвысокочастотной обработке 
не наблюдается разогрев образцов. Исследование ди-
намики изменения высоты барьера и коэффициента 
неидеальности прямой ветви вольт-амперной характе-
ристики от времени экспозиции сверхвысокочастотного 
излучения показало, что высота барьера имеет макси-
мальное значение при 5-6 с., а коэффициент неидеаль-
ности остается неизменной до 5 с., (см. рис. 2.)
Таким образом воздействие сверхвысокочастотным 
излучением в течение 5 с. является наиболее оптималь-
ным для улучшения параметров диодов с барьером 
Шоттки на основе TiB
x
(ZrBx)-n-SiC. 
Таким образом, с ростом времени экспозиции до 10с 
улучшаются 
параметры 
поверхностно-барьерной 
структуры Au-TiB
x
-n-SiC 6H, а именно высота барьера 
растет, фактор идеальности и величина обратного тока 
уменьшается


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   19   20   21   22   23   24   25   26   ...   231




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет