Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»

Транзистор жұмысының принципі и
БЭ
тура 
кернеуі эмиттер мен коллектор тогына әсер 
етуіне негізделеді. Бұл кернеу қаншалықты көп 
болса, эмиттер мен коллектор тогы да 
соншалықты көп. Сөйтіп, база мен эмиттер 
арасында қосылған кіріс кернеу коллектор 
тогын басқарады. Транзистордың күшейткіш 
қасиеті осыған негізделген.
Транзистор үш негізгі қосу схемасында 
жұмыс істей алады: жалпы эмиттермен (ЖЭ), 
жалпы базамен (ЖБ) және жалпы коллектормен
(ЖК). Жалпы деп кіріс және шығыс кернеуі 
үшін корпус болып табылатын электрод аталады.
Транзистордағы схеманы есептеу үшін көбіне кіріс (1.8-сурет) 
және шығыс (1.9-сурет) статикалық сипаттамасы қолданылады. 
Есептеу міндеті сипаттамалардағы жұмыс нүктесінің орналасқан 
орнын таңдаудан тұрады. Осы мақсатта қажет етілетін токты алу үшін 
резисторлардан бөлгіш тізбегі құрылады.
1.7-сурет. – 
Транзисторды 
принципиальды 
электр схемасында 
белгілеу

1.8-сурет. ЖЭ схемасындағы транзистордың кіріс 
вольт-ампер сипаттамасы 
Транзистордағы 
токтар 
арасындағы 
қатынас 
келесі 
коэффициентпен сипатталады: 
α = i
к
/i
э
мұндағы 
α
— эмиттер тогын беру коэффициенті 
β 
=
 
i
К
/i
Б
,
мұндағы 
β
— база тогын күшейту коэффициенті. 
Транзисторларды пайдалану мақсатына, физикалық қасиеттеріне, 
негізгі 
электрлік 
параметрлеріне, 
құрылымдық-технологиялық 
белгілеріне, шығыс жартылай өткізгіш материалдың тегіне қарай 
жіктеу олардың типін шартты белгілеу жүйесінде көрініс береді.
Транзисторлардың жаңа жіктелім тобының пайда болуына сәйкес 
олардың шартты белгісінің жүйесі де жетілдіріле түседі.
1.9-сурет. ЖЭ схемасындағы транзистордың шығыс вольт-амперлік сипаттамасы

1.10-сурет. 
Өрісті 
транзисторды 
принципиальды 
электр 
схемасында 
белгілеу
Транзисторлар типін белгілеу жүйесі ЖСТ 11336.919 — 81 
жүйелік стандартымен белгіленген және жіктелім белгілеріне сай 
базаланады. Белгілеу жүйесінің негізін әріптік-сандық код құрайды.
Кейбір транзисторларды белгілеу мысалы: 
KT604A — кремнийлі, биполярлық, орташа қуатты, төмен 
жиілікті, әзірлеу нөмері 04, А тобы; 
2Т920А — кремнийлі, биполярлық, үлкен қуатты, жоғары жиілікті, 
әзірлеу нөмері 20, А тобы; 
КТ8150А1 — кремнийлі, биполярлық, үлкен қуатты, 3-тен 30 
МГц-ға дейін шектелген жиілікті, әзірлеу нөмері 150, А тобы, 
кристалл ұстамайтын икемді шығыспен; 
КТ937А-2 — кремнийлі, биполярлық, үлкен қуатты, жоғары 
жиілікті, әзірлеу нөмері 37, А тобы, корпуссыз, кристалл ұстайтын 
икемді шығыспен. 
2ПС202А-2 — орташа жиілікті аз қуатты кремнийлі өрістік 
транзисторлар жиынтығы, әзірлеу нөмері 02, А тобы, корпуссыз, 
кристалл ұстайтын икемді шығыспен. 
p
—л-ауысулы басқарылатын 
өрісті транзисторлар
мысалы л-
типті пластинадан тұрады. Қарсы жағында пластина шығыс тізбекке 
қосылатын электродтар болады. Шығыс сигнал көзі р-типті аймаққа 
қосылады. Сөйтіп, өрісті транзистор үш электродтан тұрады: бастау, 
ағын, бекітпе. 
Өрісті транзистордың шартты-графикалық бейнесі 1.10-
суретте берілген.
Өрісті транзистор жұмысының принципі келесіден тұрады: 
кіріс кернеуі әсерінен 
p
— л-ауысуының жабын қабатының 
қалыңдығы өзгереді. Ол кезде негізгі тасымалдауыштар тогы 
өтетін каналдың көлденең қимасының ауданы өзгереді, 
сәйкесінше ток мәні де өзгереді. Өрісті транзисторларды 
каналды 
деп 
те 
атайды. 
Өрісті 
транзисторлар биполярлық транзисторлар 
сияқты 
қосылудың 
үш 
схемасынан 
тұрады: жалпы бастау, жалпы ағын, жалпы 
бекітпе.
Өрісті 
транзистордың 
негізгі 
параметрлері: 
■
тіктігі 
𝑆 =
Δ𝑖
𝑐
Δ𝑈
ЗИ
[м𝐴/𝐵].
 
Тіктіктің жылулық мәні 3...5 мА/В 
құрайды. Тіктігі жағынан өрісті транзисторлар 
биполярлық транзисторлардан артта қалады; 

1.7. 
■
шығыс кедергі
𝑅
𝑖
=
Δ𝑈
СИ
Δ𝑖
𝑐
[Ом]
 
Шығыс кедергі сипаттаманың еңіс учаскесінде жүздеген 
килоомды құрайды; 
■
кіріс кедергі
𝑅
вх
=
Δ𝑈
ЗИ
Δ𝑖
З
[Ом]
p
—л-ауысудың кедергілі сыйымдылығы жоғары жиілікте кіріс 
кедергісін төмендетеді. Кіріс кедергі мегаом бірлігін құрайды; 
■ 
күшейту коэффициенті
μ =
Δ𝑈
СИ
Δ𝑈
ЗИ
Өрісті транзисторлар күшейткіштерде, қайта қосқыштарда, 
логикалық элементтерге кеңінен қолданылады. 

жүктеу/скачать 5,96 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: