Технические науки



бет56/79
Дата10.12.2016
өлшемі8,18 Mb.
#3601
1   ...   52   53   54   55   56   57   58   59   ...   79
Б.К.Казбекова

Каспийский государственный университет технологии и инжиниринга

им. Ш.Есенова г.Актау
Влияние междолинного перехода электронов на поперечное магнетосопротивление

кремния
Поперечное магнетосопротивление – это изменение сопротивления кристалла, по­мещенного в магнитное поле, перпендикулярное электрическому току.

Согласно классической теории поперечное магнитосопротивление должно насыщаться, если кристалл не вырожденный и выполняется условие сильных магнитных полей .

Для наблюдения полного насыщения магнетосопротивления необходимы более высокие поля или низкая температура. При этом надо отметить, что с увеличением напряженности магнитного поля усиливается роль квантования энергии носителей тока в магнитном поле, что приводит к изменению зависимости магнетосопротивления от поля. С понижением температуры квантование энергии носителей тока в магнитном поле сказывается раньше, чем будет достигнуто полное насыщение магнетосопротивления. Носители тока в кремнии имеют большую эффективную массу, поэтому трудно достижимы условия сильных полей. Однако благодаря успехам, достигнутым в области получения сильных и сверхсильных магнитных полей, стало доступным проводить измерения в условиях . Стала доступной и область, где важную роль играют квантовые эффекты .


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   52   53   54   55   56   57   58   59   ...   79




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет