14
валентного тока
j
= 14 A/м
2
быстрых молекул с энергией ε = 200 эВ в течение 6 часов
синтезировались покрытия из нитрида титана.
Рис. 8а. Линии магнитного поля.
Рис. 8б. Зависимости магнитной индукции B от r.
Верхняя часть подложек была закрыта масками.
После осаждения покрытий их
снимали и на разных расстояниях от одного из краев подложки измеряли высоту δ сту-
пенек между открытыми и закрытыми масками поверхностями. На внешней поверхно-
сти пластины толщина покрытия распределена достаточно однородно и составляет δ ~ 5
мкм (рис. 9а). На внутренней поверхности пластины толщина покрытия снижается от ~
5 мкм на краях до ~ 3,2 мкм в середине пластины (рис. 9б). Тем не менее, на внешних и
внутренних поверхностях пластин микротвердость покрытий ~ 2400 HV25 и их золоти-
стый цвет одинаковы. Дифрактограмма покрытия на внутренней поверхности пластины
не отличается от дифрактограммы покрытия на ее внешней поверхности и соответствует
покрытиям состава TiN, осаждаемым стандартным методом магнетронного распыления.
Для синтеза покрытий на второй паре таких же подложек использовались электро-
дуговой испаритель металла с током дуги 100 А и источник пучка молекул азота с энер-
гией ε = 200 эВ и эквивалентным током 0,5 А, оси которых перпендикулярны друг дру-
гу. В течение 4 часов на внешних поверхностях вращавшихся подложек были получены
покрытия темного цвета с достаточно равномерно распределенной по длине толщиной ~
3,3 мкм. В то же время на внутренних поверхностях подложек толщина покрытий изме-
нялась от 3 мкм на краях до 1,8 мкм в середине подложки. Микротвердость покрытий на
внутренних поверхностях подложек составила от 250 HV50 до 300 HV50, что характер-
но для металлического, а не нитридного покрытия.
15
а
б
Рис. 9. Зависимости от расстояния x до края пластины длиной 60 мм
толщины δ покрытия (сплошные кривые) и его микротвердости (штриховые
кривые) на внешней (а) и внутренней (б) поверхностях подложки.
Таким образом,
однородность свойств покрытий, синтезируемых при изменяю-
щихся углах падения частиц на поверхность диэлектрических изделий сложной геомет-
рии с глубокими пазами, обеспечивает лишь разработанный в настоящей работе источ-
ник, в котором траектории атомов металла и быстрых молекул газа совпадают.
Достарыңызбен бөлісу: