«С.Ж. АСФЕНДИЯРОВ АТЫНДАҒЫ ҚАЗАҚ ҰЛТТЫҚ МЕДИЦИНА УНИВЕРСИТЕТІ» КЕАҚ
НАО «КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ С.Д.
АСФЕНДИЯРОВА»
Кафедра нормальной физиологии с курсом
биофизики
Методическое указание
Редакция: 1
Страница 3 из
9
Для вакуумных фотоэлементов рабочим режимом
является режим насыщения, которому
соответствуют горизонтальные участки вольт-амперных характеристик,
полученных при разных
значениях светового потока (рис. 2; Ф
2
>Ф
1
).
Основной параметр фотоэлемента — его
чувствительность,
выражаемая отношением силы
фототока к соответствующему световому потоку. Эта величина в вакуумных фотоэлементах
достигает значения порядка 100 мкА/лм.
Для увеличения силы фототока применяют также газонаполненные фотоэлементы, в
которых
возникает несамостоятельный темный разряд в инертном газе, и вторичную электронную эмиссию
— испускание электронов, происходящее в результате бомбардировки поверхности металла пучком
первичных электронов. Последнее находит применение в фотоэлектронных умножителях (ФЭУ).
Схема ФЭУ приведена на рис. 3. Падающие на фотокатод
К
фотоны эмиттируют электроны,
которые фокусируются на первом электроде (диноде) Э
1
.
В результате
вторичной электронной
эмиссии с этого динода вылетает больше электронов, чем падает на него, т. е. происходит как бы
умножение электронов. Умножаясь иа следующих динодах, электроны в итоге образуют
усиленный в сотни тысяч раз ток по сравнению с первичным фототоком.
Достарыңызбен бөлісу: 
