1. Теориялық бөлім
жүктеу/скачать 1,38 Mb.
|
| Сытрқы кернеу әсерінде
Тікелей кернеу U электрлік алаң Е туғызады, ол Езар алаңын компенсациялайды, және, Iпр ток диодын тудыратын, база облысында (n) кернеу үлкейген сайын тесіктер саны көп енеді (n-ауданы үшін негізгі емес тасымалдағыштар), (1.4 – суретті қараңыз). Қарсы инжекция Nn (п электрондар п-ауданынан) р-ауданына (эмиттерге) есепке алмауға болады, өйткені Рр >> Nn. Кері кернеу әсерінде. Кернеумен туғызатын Е –электрлік алаңы Езар бағытымен сәйкес келеді, ол потенциалды бөгеттің үлкеюіне әкеледі және негізгі заряд тасымалдағыштарын көрші ауданға өтуіне кедергі жасайды (1.2 - суретті қараңыз). Бірақ электрлік алаңдардың кернеулілігі негізгі емес заряд тасымалдағыштарын шығаруға (экстракция) мүмкiндiк туғызады: электрондарды р-ауданынан n-ауданға және Iобр - ток туғызатын n-ауданынан р-ауданға электрондарды. Бөгет ауданын немесе температура үлкеюі негізгі тасымалдағыштар кері Iобр ток Iт(T) жылулық деп аталатын токты тудырады:
мұндағы: I0 – бөлмелі температуралы T0 = 300 К жылулық токтың мәні, T – екі еселейтін жылулық токтын мәніне сәйкес келетін, өсімше температура мәні (гермений үшін T - 10 К құрайды, кремнийге – 7 К); T – абсолюттік температура. жүктеу/скачать 1,38 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|