Тақырып:Джоуль–Ленц заңы Зависимость удельного сопротивления ρ от абсолютной температуры T при низких температурах: a – нормальный металл; b – сверхпроводник.
Зависимость удельного сопротивления ρ чистого полупроводника от абсолютной температуры T.
Парно-электронные связи в кристалле германия и образование электронно-дырочной пары.
Атом мышьяка в решетке германия. Полупроводник n-типа.
Атом индия в решетке германия. Полупроводник p-типа.
Тақырып: Электронды-кемтікті ауысу. Транзистор Образование запирающего слоя при контакте полупроводников p- и n-типов.
Вольт-амперная характеристика кремниевого диода.
Транзистор структуры p–n–p.
Зависимость удельного сопротивления ρ от абсолютной температуры T при низких температурах: a – нормальный металл; b – сверхпроводник.
Зависимость удельного сопротивления ρ чистого полупроводника от абсолютной температуры T.
Парно-электронные связи в кристалле германия и образование электронно-дырочной пары.
Атом мышьяка в решетке германия. Полупроводник n-типа.
Атом индия в решетке германия. Полупроводник p-типа.
Образование запирающего слоя при контакте полупроводников p- и n-типов.
Вольт-амперная характеристика кремниевого диода.
Транзистор структуры p–n–p.
Транзистор структуры n–p–n.
Включение в цепь транзистора p–n–p-структуры.