Осының салдарынан ығысу жазықтығы үстінде жатқан 1 атомдық қатарда 2 қатарға қарағанда бір атом артық. Жоғары қатардағы атомдардың (дислокация центрі) нүктесіндегі ара қашықтығы қалыпты тордағыға қарағанда кем, ал төменгі қатардағы атомдардың ара қашықтығы қалыпты тордағыға қарағанда үлкен болады. Дислокация центрінен оңға және солға, жоғары және төменгі бөліктерге орын ауыстырғанда тордың өзгерісі ақырындай азаяды және -дан қандай да бір ара қашықтықта кристалда атомдардың орналасуы қалыпты күйге түседі. Сурет жазықтығына перпендикуляр жазықтықта дислокация бүкіл кристалда немесе оның біраз бөлігінде болады.
Сонымен, сызықты дислокацияға тән сипаттама кристалл торында бір артық атомдық жазықтықтың () пайда болуы. Сондықтан, осындай дислокацияның пайда болуын торды қозғап, оған қосымша жазықтық енгізу процесі деп түсіну қажет. Бұл жазықтық экстражазықтық деп аталады. Егер экстражазықтық сырғанау жазықтығының жоғары жағына енгізілсе, онда сызықтық дислокация оң (2.10 а-сурет), ал егер төменгі бөлігіне енгізілсе, онда ол сызықтық дислокация (2.10 б-сурет) теріс деп аталады. Ығысу векторы тор тұрақтысына тең болса, ондай дислокация бірлік дислокация немесе бірлік қуат дислокациясы деп аталады. Бірлік дислокацияның кристалдың көлденең қимасы арқылы өтуі оның бір бөлігінің екінші бөлікпен салыстырғанда -ға жылжуын тудырады. Оң дислокацияның солға, теріс дислокацияның оңға жылжуы кезінде тор бөлігінің ығысуы бірдей болады (2.10 а,б-сурет).