Биполярлық транзистордың құрылысы мен жұмыс істеу қағидасы
Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші (коэффициенті)
жүктеу/скачать 60,11 Kb.
|
Биполярлық транзистордың құрылысы мен жұмыс істеу қағидасы 07.12
| 8.1 Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші (коэффициенті)
Эмиттер тоғы қатаң айтқанның өзінде де, ЭӨ бір жақты болғанның өзінде тек е-дардың қозғалысымен ғана анықталмай, кемтіктердің де қозғалысымен анықталады; ал коллектор тоғы (Іэ-ге тәуелді болатын) тек е – мен ғана анықталады. Сондықтан эмиттердің тиімділігі (эффективтілігі) деген түсінікті енгізуге болады (7) Мұнда Іэп және Іэр - эмиттер тоғының құраушысы ретінде кіретін электрондардың және кемтіктік бөліктері
Іэ=Іэп+Іэр. (8)
База арқылы тасушыларды тасымалдау еселеуі дегеніміз келесі қатынас болып табылады: (9)
Эмиттердің тоғын беру статикалық еселеуіші деп - көбейтіні айтады. Өндірістің шығаратын транзисторлары үшін бұл – деген еселеуіш 0,9-0,999 шамасына жетеді. Қатаң математикалық қатынастарға сүйенбей-ақ Ік мен Uкб –ні, Іэ мен Uэб-ні [кейде Ік=f(Uкб) және Іэ=f(Uэб)] байланыстыратын ВАС-тың жүрісін түсіндірейік. Ік=f(Uкб)- коллекторлық ВАС деп, ал, Іэ=f(Uэб)- эмиттерлік ВАС деп аталады.
22 Сурет – коллекторлық және вольт - амперлік сипаттамасы Эмиттерлік тоқ нөлге тең болғанда (Іэ=0), коллекторлық тізбек бойымен КӨ-нің кері тоғы Ікб бұл тоқ негізгі емес тасушылардың қозғалысынан туады. Бұл тоқ диодтағы кері ығысу бергендегі кері тоқтың Uкб- ға тәуелділігі сияқты заңдылықты береді. Іэ=/0, яғни нөлге тең болмағанда база ішіне электрондардың ағыны инжекцияланады да, олардың (электрондың) көбі коллекторға жетеді. Эмиттер тоғымен қамтамасcыздандырылатын коллекторлық ток, Іэ-ге тең болады екен. Коллектор кернеуінің нөл мәнінен кері кернеудің жеткілікті үлкен мәндеріне дейін өзгеруі коллектор тоғына тек сәл дәрежеде әсер етеді, себебі КӨ оған жеткен е-ның бәрін Uкб кернеуінің шамасына тәуелсіз жинап алады. Uкб-нің өсуімен Ік- ның сәл өсуінің бақылануы КӨ-нің Uкб-нің өсуімен, енінің кеңейуімен, ал база енінің кішірейуімен және еселеуішінің сәл үлкеюімен түсіндіріледі.< Сонымен, коллектордың толық тоғы (10)
ал база тоғы (11) Uкб-нің шамасы үлкен болғанда, коллектордың тоғы КӨ-нің көшкіндік тесіп өтілу себебінен күрт өседі. КӨ-ге тік ығысу бергенде 2.3 Суреттегі ВАС –тан көріп отырғанымыздай Ік нөлге дейін кемиді де, ал одан кейін өзінің бағытын өзгертеді. Бұл жағдай КӨ-ге тік ығысу түсірілгенде оның электр өрісі база ішінен коллекторға қозғалып келе жатқан е- дар үшін тежеуші болатындығынан және КӨ-де тік тоқтың (Іэ-нің әсерінен пайда болатын) пайда болуымен түсіндіріледі. 4.3, а Суреттегі сипаттамалар ВАС-тар үшін ширекте (квадратта) салынған, себебі коллекторлық кернеу кері болып тұр, ал коллекторлық тоқ негізгі емес заряд тасушыларымен іске асырылады. Uкб =0 кезіндегі (жағдайындағы) эмиттерлік. ВАС диодтың ВАС-ына жақын; Uкб>0 болғанда сипаттама жоғары ығысады, себебі КӨ кеңейеді де, базаның ені кеңейеді. Бұл жағдайда Uкб =0 болғандағы сипаттаманың Uкб* кернеуінің мәніне сәйкесті жерін қарастырсақ, базадағы е- лердің үйірленуінің драдиенті өседі. Ал, бұл өз кезегінде эмиттер тоғының өсуімен қабаттас болады. Әдетте коллекторлық эмиттермен салыстырғанда кемірек қосынлатындықтан және КӨ-нің ауданы ЭӨ-нің ауданынан үлкен болатындықтан, транзистор беттескелі (симметриялы) прибор емес. Бірақ тәсілге қосқанда эмиттер мен коллекторды орындарымен ауыстырып қосуға болады. Транзистордың тәсілге мұндай жалғануы инвестрлік, яғни терістелген деп аталады. Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші (терістеп қосқанда коллектор эмиттер болды), тік жалғағандағы еселеуішінен кем болады. Бұл Ік-ның е-дық құрамының кемуімен және ауданы кем болатын коллектордың е-дарды жинауының нашарлануымен байланысты. жүктеу/скачать 60,11 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|