305
термиялық иондалуынан кейін ғана жойылатын болады. KCl-де мұндай
орталықтарға ~210 К-ге дейін қызғаннан кейін ғана секіруге қабілетті
автолокацияланған кемтік немесе v
c
катиондық ваканцияның жанында
локализацияланған және ~250 К-ге дейін қозғалмайтын кемтік енетін болып
саналады]. MgO - да v
c
катиондық ваканцияға жақын орналасқан кемтікті
термиялық ионизациялау 420 К - де жүзеге асырылатын болады, Caso
4
-де
электромагниттік парамагниттік ркзонанс ЭПР әдісімен зерттелген SO
4
-
радикалдардың бір түрі автолокацияланған кемтікке сәйкес келетін болып
табылады [4].
СаSO
4
жұмысының деректеріне сәйкес
SO
4
-
фотондары 8,44 эВ болатын
оксианиондардың тікелей фотоқоздырылуы кезінде сәуле шығару спектрінде
негізінен Тb
3+
иондарының 4f
8
конфигурациясының энергия деңгейлері
арасындағы
5
D
4
7
F
J
электрондық өтулер сериясы жиынтығы тіркелген
болатын.
CаSО
4
:Тb
3+
(1моль%),Nа
+
стационарлық
катодолюминесценция
спектрінде де 2,27 эВ ең қарқынды сәуле шығаруы болатын (
5
D
4
7
F
5
) серия
басым болып табылады [5].
Сонымен қатар температурасы 80 К кезінде CаSО
4
:Тb
3+
(4моль%),Nа
+
фосфоры
энергиясы 10 немесе 11,5 эВ болатын фотондармен сәулелендіріліп
термоынталандаралған люминесценция TЫЛ қисықтары өлшенген болатын.
Тb
3+
иондарының төмен концентрациясы бар үлгідегідей ТЫЛ 110, 150, 185
және 235 К температурларда нашар көрінетін шыңдар байқалады, олар осы
шыңдардың табиғатын анықтау үшін ТЫЛ шыңдарын құру спектрлерінде
көрсетілетін болады. Эксперименттік мәліметтер көрсеткендей 185 К және 235
К шыңдары фосфорларды 9,5 эВ с фотондармен сәулелендіргеннен кейін ғана
пайда болатын болады. Осы мәліметтердің көмегімен CaSO
4
фосфорының
тыйым салынған аймағының ені 9,5 эВ құрайды деп есептелінеді.
Достарыңызбен бөлісу: