И. Т. Алдибеков



Pdf көрінісі
бет16/54
Дата04.10.2023
өлшемі2,7 Mb.
#183636
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   ...   54
Байланысты:
OIpfmz5UdRAokhv7ETqW2tM9cLGBYN

 
n-өткізгіштікті 
қабат

ал анод рөлін
 
p-өткізгіштікті 
қабат орындайды. 
Бір монокристалда
p
- және 
n
-типті жартылай өткізгіштерді 
жанастырған кезде
 n
-типті жартылай өткізгіштен 
p
-типті жартылай өткізгішке 
қарай қозғалатын электрондардың диффузиялық ағыны және
p
-типті 
жартылай өткізгіштен
n
-типті жартылай өткізгішке бағытталған «тесіктер» 
ағыны пайда болады. Нәтижесінде 
p-n өткел 
маңындағы
p
-типті жартылай 
өткізгіштің біраз бөлігі теріс зарядталады, ал 
p-n өткел 
маңындағы
n
-типті 
жартылай өткізгіштің біраз бөлігі оң зарядталады. Осылайша,
p-n өткел 
маңында зарядталған қос қабат пайда болады. Бұл пайда болған қос қабат 
электрондар мен тесіктердің диффузиясынының одан әрі жүруіне кедергі 
жасайды. Нәтижесінде тепе-теңдік жағдай орын алады. Сонымен жарық 
фотоэлементке түспеген кезде 
p-n өткел аумағында потенциальдық барьер 
пайда болады. Одан өту үшін 
n
-типті жартылай өткізгіштің электрондары 
және 
p
-типті жартылай өткізгіштің тесіктері қосымша энергия жұмсауы керек. 
Жартылай өткізгішке жарық түскен кезде электрондық-тесіктік жұптар 
пайда болады. Ток тасығыштарды бөлектеу үшін және ЭҚК пайда болу үшін 
қосымша күш болу керек. Сан жағынан тең емес ток тасығыштарды
p-n 
өткел
аумағында
 
бөлектеу тиімді. 
p-n өткел
аумағында пайда болған «негізгі 
емес» тасығыштар (
n
-типті жартылай өткізгіштегі тесіктер мен 
p
-типті 
жартылай өткізгіштегі электрондар) 
p-n
өткеліне ығысады да, ол жерде 
оларды p-n өткелінің өрісінің әрекеті нәтижесінде олар негізгі ток тасығыш 


21 
болып саналатын жартылай өткізгішке жеткізеді: электрондар 
n
-типті 
жартылай өткізгішке, ал тесіктер
p
-типті жартылай өткізгішке өтеді. 
Нәтижесінде
p
-типті жартылай өткізгіш артық оң заряд, ал
n
-типті жартылай 
өткізгіш артық теріс заряд жинақталады. Бұл 
n
-қабат пен 
p
-қабат арасында 
потенциалдар айырымын – 
фотоЭҚК-ін
немесе 
бос жүріс режимі кезіндегі 
кернеуді
тудырады. 
ФотоЭҚК мәні жарықтың қарқындылығының
 
логарифміне тура 
пропорционал өседі.
Жарық түскен
p-n
өткелдің 
қысқаша тұйықталу режимі
кезінде электр 
тізбегі арқылы ток жүреді. Бұл ток жарықтану деңгейіне тура пропорционал 
және пайда болған электрондар-тесіктер жұптар санына байланысты.
 
1 – Алюминийлік табан (табан электрод); 2 – кремнийлік
р
-қабат; 
3 – 
n
-қабат; 4 – қорғаушы шыны; 5 – теріс электрод. 
2.2 сурет - Фотоэлемент құрылысы 
Электрлік тізбекке пайдалы жүктеме қосқан кезде
 
ток біршама азаяды. 
Әдетте 
пайдалы жүктеменің кедергісін онда максималды қуат бөлінетіндей
етіп таңдайды.
Фотоэлементтердің жұмыс режимдері мен сипаттамалары
н 
қарастырайық. Жарық тудырған ток тасығыштар ағыны 
фототок
I
ф
құрайды.
I
ф
мәні уақыт бірлігі ішінде өткен ток тасығыштар санымен 
анықталады: 
𝐼
ф
= 𝑔
𝑃
𝑢
ℎ𝜈
,
(2.4) 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   ...   54




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет