Конспект лекций для студентов специальности 190901 «Системы обеспечения движения поездов»
жүктеу/скачать 5,1 Mb.
|
Конспект лекций Электроника 2012
Конспект лекций Электроника 2012
6.1. Биполярные транзисторыБиполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами и тремя слоями с чередующейся проводимостью, ток в области базы которого создаётся не основными носителями зарядов. Переходы делят структуру транзистора на три области. Область, через которую ток втекает в транзистор, называется эмиттер (Э), от латинского слова emissio – выпуск. Эмиттер выпускает заряды в среднюю область, которая называется база (Б). Прошедшие через базу заряды попадают (собираются) в третью область, которая называется коллектор (К), от латинского слова collectio – собирание. Из области коллектора ток из транзистора выходит во внешние цепи. Классификация. В зависимости от типа проводимости областей различают биполярные транзисторы структуры p-n-p и n-p-n. Условное графическое обозначение биполярных транзисторов представлено на рис. 6.1. Стрелка на эмиттере показывает направление движения дырок (положительных зарядов) от слоя p к слою n. Рис. 6.1. Условное графическое обозначение биполярных транзисторов: а – структуры p-n-p; б – структуры n-p-n В зависимости от мощности, рассеиваемой на коллекторе, различают транзисторы малой мощности (м.м., Рк.max < 0,3 Вт); средней мощности (с.м., 0,3 Вт < Рк.max < 1,5 Вт); большой мощности (б.м., Рк.max > 1,5 Вт). В зависимости от частоты усиливаемого сигнала различают низкочастотные (НЧ, fгр < 3 МГц); среднечастотные (СЧ, 3 МГц < fгр < 30 МГц); высокочастотные (ВЧ, 30 МГц < fгр < 300 МГц) и сверхвысокочастотные (СВЧ, fгр > 300 МГц).
жүктеу/скачать 5,1 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|