Конспект лекций для студентов специальности 190901 «Системы обеспечения движения поездов»


Схема однокаскадного транзисторного усилителя



бет36/77
Дата30.01.2022
өлшемі5,1 Mb.
#116187
түріКонспект лекций
1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   77
Байланысты:
Конспект лекций Электроника 2012

8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя


Рассмотрим схему однокаскадного усилителя переменного тока, в которой транзистор включён по схеме с общим эмиттером (ОЭ), которая представлена на рис. 8.2.

Рис. 8.2. Схема однокаскадного усилителя ОЭ

В схеме имеется только один источник питания Ек, от которого питаются цепи коллектора и базы транзистора VT. Нагрузкой цепи коллектора является резистор Rн. Резистор цепи смещения в базе транзистора Rсм устанавливает режим транзистора по постоянному току (ток базы IБ0). Ток коллектора IК0 будет зависеть от коэффициента передачи тока базы транзистора:



.

При этом на коллекторе транзистора установится напряжение



. (8.1)

На вход усилителя поступает сигнал переменного тока uвх = Umsint через конденсатор С, который служит для разделения цепей переменного и постоянного тока на входе усилителя. При таком включении конденсатора С внутреннее сопротивление источника сигнала не влияет на режим транзистора по постоянному току, и постоянное напряжение из цепи базы транзистора не проникает в источник входного сигнала переменного тока.

На выходе усилителя (в цепи коллектора транзистора) на резисторе Rн цепи постоянного и переменного тока не разделены. К резистору Rн одновременно приложено постоянное напряжение и переменное напряжение усиленного сигнала, величина которого зависит от коэффициента усиления схемы по напряжению КU.

Форма выходного сигнала усилителя зависит от амплитуды входного сигнала переменного тока Um и положения рабочей точки по постоянному току. В зависимости от формы выходного сигнала различают стандартные режимы работы, которые называются классами усиления.

Рассмотрим работу усилителя в различных классах усиления. Анализ работы проведём графическим методом с использованием статических характеристик транзистора.



Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   77




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет