Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации
Как было отмечено в лекции 1, полупроводниковые материалы обладают отрицательной зависимостью удельного сопротивления от температуры. С ростом температуры прямое и обратное сопротивление p-n переходов уменьшается, а токи переходов растут (рис. 9.1).
Рис. 9.1. Влияние температуры на вид вольтамперной характеристики p-n перехода
На рис. 9.1 пунктирной линией показано изменение положения прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики с ростом температуры. Следует отметить, что изменение температуры полупроводника может быть вызвано как влиянием окружающей температуры, так и разогревом самого полупроводника при протекании токов нагрузки.
Поскольку транзистор представляет собой два близко расположенных и влияющих друг на друга p-n перехода, изменение температуры сильно влияет на режим работы транзистора.
С ростом температуры возрастает ток коллектора, в результате чего в режиме нагрузки снижается напряжение на коллекторе, и рабочая точка смещается ближе к области насыщения.
С уменьшением температуры снижается ток коллектора, растёт напряжение на коллекторе, и рабочая точка смещается ближе к области отсечки. В результате искажается форма синусоиды выходного сигнала – теряется качество работы усилителя.
Для снижения влияния температуры в схемах усилителей применяют цепи термостабилизации. Эти цепи образуют отрицательные обратные связи (ООС), стабилизирующие режим работы транзистора по постоянному току. В результате влияния цепей термостабилизации рабочая точка усилителя удерживается в выбранном при расчёте схемы положении, и в некотором диапазоне температур режим работы усилителя практически не изменяется.
Различают два способа термостабилизации режима работы усилителя: с ООС по току базы и с ООС по напряжению база-эмиттер.
Достарыңызбен бөлісу: | 
