Первый элемент обозначает полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор:
1 или Г – германий;
2 или К – кремний;
3 или А – арсенид галлия.
Второй элемент – подкласс. Т – биполярный транзистор; П – полевой.
Третий элемент – цифра от 1 до 9 – мощность и частота:
|
НЧ
|
СЧ
|
ВЧ и СВЧ
|
м.м.
|
1
|
2
|
3
|
с.м.
|
4
|
5
|
6
|
б.м.
|
7
|
8
|
9
|
Четвёртый и пятый элемент – порядковый номер разработки от 01 до 99. В настоящее время номер может быть и трёхзначным (более 100).
Шестой элемент – буква – отличие по допустимому максимальному напряжению на коллекторе транзистора Uкэ.макс.
Седьмой элемент – отличие по конструктивному исполнению. М – отличие по материалу корпуса (металлический или пластмассовый). С – сборка (несколько транзисторов в одном корпусе и на одном кристалле для достижения максимального подобия по электрическим характеристикам и их изменению в зависимости от температуры).
Достарыңызбен бөлісу: | 
