Лекции по наноматериалам и нанотехнологиям


 Методы измерения, исследования и формирования наноструктур



Pdf көрінісі
бет56/103
Дата19.12.2023
өлшемі12,63 Mb.
#197643
1   ...   52   53   54   55   56   57   58   59   ...   103
Байланысты:
Nanomateriali i nanotehnologii bak

2.8. Методы измерения, исследования и формирования наноструктур 
2.8.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия
В методе 
Молекулярно-лучевая эпитаксия
(МЛЭ) пучки атомов 
направляются в сверхвысоком вакууме на нагретую подложку, где производится 
синтез соединения и рост эпитаксиального слоя. Источники пучков атомов - 
испарительные ячейки. В каждой ячейке содержится свой материал. 
Испарительные ячейки называются эффузионными ячейками Кнудсена 
(
эффузия 
- медленное истечение газа через малое отверстие).
Рис. 2.8 (а) Схема эпитаксиального наращивания.
(б) Общая схема ростовой камеры. (нумерация элементов камеры отдельная от рис. а) [6] 
Основные элементы ростовой камеры показаны на рис. 2.8.а 1-источник 
нагрева подложки 2, 4 - испарительные ячейки для компонентов наращиваемого 
соединения(Ga, In, As, P). 5-ячейки для испарения лигирующих элементов, I- 
зона генерации атомных пучков. II- зона смешивания пучков, III-зона 
эпитаксиального роста. Количество испарительных ячеек равно числу 
компонент в каждом слое. Концентрация элементов в растущем слое 
определяется интенсивностью пучков, которая задается температурой в ячейках. 
Состав можно менять после завершения формирования каждого слоя. С 
помощью заслонок 3 можно включать и выключать любой атомарный поток, 
создавая резкий профиль изменения состава в гетеропереходе.
Общая схема ростовой камеры показана на рис. 8.б. Камера 
сконструирована из нержавеющей стали. В ней поддерживается высокий 
вакуум: давление 10
-10
-10
-12
мм. рт. ст.(10
-8
-10
-10
Па). Каждая ячейка 3 окружена 
криоэкранами 4, охлаждаемыми жидким азотом 77 К, вторая криопанель 
расположена по периферии камеры. Имеются заслонки 2 отдельных ячеек и 
общая заслонка 6. Подложка расположена на вращающемся держателе 7, 
несущем её и устройство подогрева. Повышение однородности растущего слоя 
достигается вращением подложки. Оно передается от специального двигателя 
через ось 11. Контроль вакуума осуществляется измерителем 8. В камере 
имеются смотровые окна, вакуумный шлюз 9 для смены образцов, электронная 
пушка 5 и флуоресцирующий экран 1. Они используются для контроля роста, 
качества поверхности, ориентации поверхности и постоянной решетки 
(непосредственно при эпитаксии). Скорость роста равна один монослой в 


108 
секунду, примерно 1мкм в час. [6]
На растущей поверхности происходят следующие процессы: 
1. 
Адсорбция 
(поглощение поверхностным слоем) падающих на поверхность 
атомов

2. Поверхностная диффузия адсорбированных атомов (
5
6
10
10

прыжков 
атомов по поверхности до встраивания в решетку.) 
3. Встраивание в кристаллическую решетку адсорбированных атомов 
основного вещества. 
4.
Десобция
-испарение атомов, не встроившихся в решетку. 
Контроль растущей поверхности осуществляется методом 
дифракции 
быстрых электронов.
Пучок электронов из электронной пушки 5 рис. 2.8.б с 
энергией 10-50 кэв падает на исследуемую поверхность под скользящим углом 
1
о
- 2
о 
к поверхности. Электроны проникают только на глубину нескольких 
поверхностных атомных слоев. Они испытывают дифракционное отражение от 
монослоев и падают флуоресцирующий экран. Если монослои имеют 
кристаллическую решетку, то дифракционная картина в виде упорядоченных 
световых пятен (
рефлексов
). Если атомарно - гладкая, то картина в виде 
параллельных полос. На начальном этапе, когда поверхность подложки покрыта 
пленкой окисла, наблюдаются размытые рефлексы на диффузионном фоне. 
С ростом температуры подложки, по мере десорбции оксида. Уменьшается 
диффузионный фон и увеличивается интенсивность рефлексов. При 
последующем отжиге поверхность сглаживается, и рефлексы вытягиваются в 
полосы - поверхность готова к эпитаксиальному наращиванию слоев. 
Другой метод контроля растущей поверхности – это 
осцилляции
интенсивности зеркально отраженного пучка электронов 
(не дефрагированных 
электронов). 
При росте монослоя по механизму образования 2-мерных зародышей, 
условия на поверхности периодически меняются со временем, и периодически 
меняется отражательная способность поверхности. Максимум отражательной 
способности соответствует полностью заполненному монослою, т.е. отсутствию 
островков. Минимум отражательной способности соответствует случаю, когда 
островки занимают половину поверхности. Период осцилляции 
Т
равен времени 
наращивания одного монослоя. 
По картине осцилляций определяют скорость роста и моменты завершения 
формирования слоев. При выращивании структур с квантовыми ямами, 
границами ям должны быть полностью завершенные слои и число слоев в яме 
строго определено. Поэтому переключение заслонок 2 на рис. 2.8.б
 
должно 
производиться точно в моменты максимумов интенсивности. Установка 
молекулярно лучевой эпитаксии обеспечивает выращивание слоев с 
контролируемыми параметрами. 
Достоинства технологии МЛЭ 
1.Возможность формирования атомногладких границ слоев, что 
принципиально важно для наногетероструктурных приборов. 
2.Получение перечисленного количества завершенных слоев, начиная с 


109 
одного монослоя, что важно для структур с квантовыми ямами. 
3.Возможность получения резких скачков концентрации компонент в слоях. 
4.Возможность 
создания структур со сложным распределением 
концентрации основных и примесных элементов. 
5.Наличие сверхвысокого вакуума в рабочей камере исключает высокий 
уровень загрязнения подложки и растущих слоев. 
6.Низкие температуры роста минимизируют диффузию в границе между 
слоями. 
7.Возможность контроля и коррекции роста непосредственно в ходе 
процесса, диагностика роста, точный контроль температуры подложки и ячеек, 
компьютерное управление параметрами процесса. 
Недостатки технологии МЛЭ: 
Более 
дорогая 
по 
сравнению 
с 
газофазной 
эпитаксией 
из 
металлоорганических соединений, которая реализуется при высоких 
температурах и приводит к заметной диффузии атомов и размыванию границ 
слоев. 
Технология МЛЭ является главной при получении полупроводниковых 
наногетероструктур и высококачественных тонких пленок на основе 
полупроводниковых соединений 
3
5
2
6
,
,
A B
A B
SiGe
и др. 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   52   53   54   55   56   57   58   59   ...   103




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет