Материалдардың электрөткізгіштігі
жүктеу/скачать 2,15 Mb.
|
Конспект лекция
| Кернеу тұрақтылығының сапа көрсеткіші болып тұрақтандыру коэффициенті қызмет атқарады Kст, ол шығыс кернеудің қатысты приращение оның шақырылған кіріс кернеудің қатысты артылуы қаншаға аз екенін көрсетеді
Kст =δUвх / δUвых = (DUвх / Uвх ном) / (DUвых / Uвых ном) Егерде стабилитрондағы динамикалық кедергі белгілі болса, тұрақтандырғыш коэффициентін төмендегі формула бойынша анықтауға болады . Шамалық стабилизатордың тұрақтандырғыш коэффициенті 20 –50 аралығында болады. Шығыс кернеуді тұрақтандыру үшін кіріс кернеумен жүктемедегі кедергі арасына реттелінетін кедергісі бар элемент жалғаса, стабилизатор параметрлерін жақсартуға болады. Осындай жолмен құрылған стабилизаторларды жүйелі стабилизаторлар деп атайды. Қарапайым жүйелі кернеу стабилизаторы транзистордағы базасы эталондық кернеу көзіне қосылған эмиттерлік қайталау болып табылады(50,a суреті) 50 Сурет - Жүйелі кернеу стабилизаторы 50 суреттен шығыс кернеу Uвых төмендегі формула бойынша анықталынатын көруге болады: Uвых = Uст – Uбэ . Шығыс кернеу стабилитронның тұрақтандырғыш кернеуінен база – эмиттер ауысымындағы ашық транзистордың кернеуінің азаю шегіне аз болады(0,5 – 0,7 В аралығында). Кернеу бойынша теріс кері байланыстың болуынан стабилизатордың шығыс кедергісі аз және Ом үлесіндей болады. Егерде шығыс кернеуді реттеу қажеттігі туындаса базаға потенциометр движогынан алынатын эталондық кернеуді беру керек. Потенциометр кедергісі R1 кедергісінен (2 – 5) есе көп болады. Тұрақтандырғыш сапасын арттыру үшін және шығыс кернеудің реттелінетін динамикалық диапазонын кеңейту үшін стабилизаторға тұрақты тоқтың күшейткішін қосымша енгізеді бұл күшейткіш өз кезегінде теріс кері байланыстың рөлін атқарады. Осындай стабилизатордың сәйкес сызбасы 51 суретте көрсетілген. Мұндай стабилизаторларды компенсационный деп атайды. 51 Сурет– Компенсационный стабилизатор сызбасы Потенциометр движогынан R3 транзистор базасына VT2 берілетін тұрақты тоқты күшейткіш орындалған кернеу кері байланыс кернеуі деп аталынады. UOC=UCТ+ UЭБ суреттен көрсетілгендей. Потенциометрден R3 өтетін тоқ 10...15 мА аралығынан аспау керек. Резистор кедергісі R1 әдетте бірнеше килоомға тең болады. Компенсационный кернеу стабилизаторын есептеуді реттелінетін транзисторды VT1 таңдаудан бастайды. Оның рұқсат етілген кернеуі UКЭ.МАКС стабилизатордың кіріс кернеуінен (UВХ.МАКС) көп болу керек, ал коллектордағы максималды токтын IK.МАКС мәні жүктемедегі тоқтың шекті мәнінен көп болу керек. Максималды қуат формуласы: Бұл қуаттың мәні транзистордың анықтамада көрсетілген максималды рұқсат етілген қуатының РК.МАКС 75% көп болмау керек. Егерде бұл шарт орындалмаса РК.МАКС мәні жоғары басқа транзистор таңдау қажеттігі туындайды. Таңдалған транзистордың VT1 анықтама бойынша h21E анықтап базалық тоқтың жүктеменің максималды тоғына сәйкес келетін максималды мәнін есептейді: Транзистордың VT1 базалық тоғы IБ резистор R1 мен стабилитроннан VD тұратын қарапайым стабилизатордың жүктемесіндегі тоқ болғандықтан оның мәні бойынша резистордағы R1 кедергіні есептейді: (Uвх.макс-Uст.мин)/Iст.мах ≤ R1 ≤ (Uвх.мин-Uст.мин)/(Iст.мин-IБ.макс) Резистордың кедергісін R2 мына формула бойынша анықтайды: R2=Uвых/Iн*(0,05...0,1) Стабилизатор дұрыс жұмыс істеу үшін транзистордың VT1 коллектор—эмиттер ауысымындағы кернеу 1 В аз болмау керек егерде транзистор VT1 германи болса, 3 В аз болмау керек егер кремнийді болғанда. ӘДЕБИЕТТЕР 1 Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы: Учеб. пособие для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 464с., ил. 2 Аринова Н.В. Основы электроники: Рабочая программа, задания и методические указания к контрольным работам для студентов специальности 050716 «Приборостроение» заочной формы обучения. ВКГТУ. - Усть-Каменогорск, 2007. – 51с. 3 Бочаров Л.Н. и др. Расчет электронных устройств на транзисторах / Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф. – М.: Энергия, 1978. – 208с., ил. – (Массовая радиобиблиотека; Вып. 963). 4 Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для вузов. – М.: Высш. Школа, 1982. – 496 с., ил. 5 Герасимов В.Г., Князев О.М. и др. Основы промышленной электроники. – М.: Высшая школа, 1986. 6 Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основа, надежность. – М.: Высшая школа, 1986. – 464 с. 7 Шадрин Г.К. Основы электроники: Курсовая работа, задания, методические указания для студентов специальности 050716 «Приборостроение» заочной формы обучения / Г.К. Шадрин, Н.В. Аринова / ВКГТУ.-Усть-Каменогорск, 2007. – 35 с. 8 Голомедов В.А. Полупроводниковые приборы: диоды выпрямители, стабилитроны, тиристоры. Справочник – М.: Связь, 1978. 9 Лавриненко В.Ю. Полупроводниковые приборы. Справочник. – Киев: Техника, 1984. жүктеу/скачать 2,15 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|