2.9.-сурет Бұрандалы дислокация. АВСD ауданда вектор бағыты бойынша аяқталмаған бірлік ығысу болды дейік (2.9. а-сурет). АD – ығысудың шегі болсын. Ақ дөңгелекпен сырғанау жазықтықтың үстіндегі атом жазықтығындағы атомдардың орны, ал қара дөңгелекпен сырғанау жазықтықтың астындағы атомдардың орны белгіленген (2.9. б-сурет). Кристалдың деформацияланбаған (торларының ығыспаған бөлігінде) бөлігінде, яғни АD шекараның сол жағында жатқан атомдар бірінің үстіне бірі орналасқан (ақ және қара дөңгелек бір-біріне қосылған). Кристалдың оң жағы, яғни бір атом ара қашықтығына ығысқан жағында ЕН-нен оң жақта орналасқан атом жазықтығындағы атомдарда бірінің үстіне бірі орналасқан болады. Жұқа АДЕН жолақта жоғары жазықтықтағы атомдар төменгі жазықтықтағы атомдардан ығысқан болады және ығысу мөлшері АD шекарадан алшақтаған сайын ұлғая береді. Бұл ығысу ығысқан жерінде локальды торды бұзады, мұны бұрандалы дислокация деп атайды. АD шекараны дислокация осі деп атайды. Бұрандалы дислокация деп аталуын 2.10.-сурет арқылы түсіндіруге болады. а атомнан в, c, d, e, т.б. бұрандалы дислокация қасында қозғалу бұранда сызығы бойымен өтеді (2.10. б-сурет). Сол және оң болып бұрандалы дислокация екіге бөлінеді (2.11.-сурет). Бұрандалы дислокацияның қарама-қарсы бағытта қозғалуы кристалдың бір бағытта ығысуына алып келеді.
2.10.-сурет Сызықты және бұрандалы дислокацияларды салыстырғанда (2.7.-сурет және 2.9.а-сурет) сызықты дислокация ығысу векторына перпендикуляр, ал бұрандалы дислокация бұл векторға параллель екені, сызықты дислокацияның қозғалуы ығысу векторы бойымен, ал бұрандалы дислокация қозғалуы бұл векторға перпендикуляр қозғалатыны көрініп тұр.
2.11.-сурет Қазіргі кезде дислокацияларды көретін эксперименталды тәсілдер құрастырылған. 2.11. а-суретте платиналық фталоцианның жұқа пленкасынан, электрон-микроскоп арқылы, түсірілген кескіннің схемалық көрінісі берілген, ал 2.11 б-суретте арнайы тәсілді қолданып, мыс сульфиді кристаллының көрінісі көрсетілген. Бұл суреттегі қара жолақтар атом жазықтықтарының орнын көрсетеді. Платиналық фталоционинаның атом жазықтары 12 А ара қашықтықта, ал мыс сульфидінің ара қашықтығы – 1,88 А. Суретте сызықты дислокацияны құрайтын кристалл ішіндегі экстражазықтар жақсы көрінеді. Бұл суреттердің көрінісі толығымен теория негізінде көрсетілген дислокация көрінісімен (2.7.-сурет) толық сәйкес келіп тұр. Кристалл бетіне дислокацияның шығуын әр түрлі ерітінділер көмегі тәсілімен көруге болады. Арнайы алынған ерітінді бірінші, торы бұзылған кристалл бөлігін ерітеді, себебі ол жер артық энергияға ие. Сондықтан химиялық активтігі жоғары болады. Кристалдың актив бетті дислокацияның кристалл бетіне шығатын жері болады. Мысал ретінде 2.12. -суретте ерітілген германий кристаллы бетінің суреті көрсетілген. Дән шекарасында орналасқан қара дақ нүктелер дислокацияның кристалл бетіне шыққан орнын көрсетеді.