Дислокация көздері Кристалдың беріктелінуі Нақты кристалдарға дислокация балқыған кристалдан немесе ерітіндіден кристалдың өсу процесінде пайда болады. Бір-біріне қарама-қарсы өсіп келе жатқан блоктар шекарасы 1.9. а-суретте схема түрде көрсетілген. Блоктар бір-біріне аса үлкен емес бұрышқа бұрылған. Блоктардың өсу барысында бірнеше атом жазықтары барлық кристалдан өшпей, блок шекараларында қалып қояды. Нақ осы жерде дислокациялар пайда болады (1.9. б-сурет). Поликристалды үлгілерде осы сияқты картиналар әр түрлі ориентацияланған дәндердің өсу кезінде де болады. Нақты қатты денелерде блоктардың және дәндердің өлшемдері өте үлкен болғандықтан (атомдар ара қашықтығымен салыстырғанда), дислокациялардың саны өте үлкен болады. Есептерге қарағанда, жақсы күйдірілген металдарда дислокация тығыздығы 1011-1012м--2. Төменгі температурада (холодная) өңдегенде, яғни прокатка волочения, т.б. жасағанда, дислокация тығыздығы 1015-1016м—2 дейін жетеді. Осы дислокацияларда металды пластикалық деформациялаған кездегі жұтылған энергияның барлығы жинақталады.
