Инновации. Наука. Образование
где
𝑗
диф 𝑛
и
𝑗
диф 𝑝
– электронная и дырочная составляющие диффузионного тока;
𝑑𝑛
𝑑𝑥
и
𝑑𝑝
𝑑𝑥
- градиенты концентраций электронов в
n
-области и дырок в
p
-области
полупроводника вдоль координаты
x
;
𝐷
𝑛
и
𝐷
𝑝
– коэффициенты диффузий электронов и
дырок;
𝑞
– заряд носителя тока.
Направление диффузионного тока совпадает с направлением диффузии дырок.
В дальнейшем попавшие в
n
-область полупроводника неосновные носители тока -
дырки рекомбинируют с основными носителями тока - электронами, а в
p
-области
электроны рекомбинируют с основными носителями тока – дырками. При этом
неосновные носители заряда проходят путь, который называется
диффузионной длиной
.
Диффузионные длины дырок в
n
-области полупроводника и электронов в
p
-области
выражаются, соответственно, соотношениями
𝐿
𝑝𝑛
= √𝐷
𝑝
𝜏
𝑝
и
𝐿
𝑛𝑝
= √𝐷
𝑛
𝜏
𝑛
,
где
𝜏
𝑝
и
𝜏
𝑛
–
времена жизни дырок в
n
-области и электронов в
p
-области, соответственно.
Потенциальный барьер
𝑗
𝑘
препятствует перемещению основных носителей тока, но
не препятствует движению через переход неосновных носителей, имеющихся в
p-
и
n-
областях. Эти неосновные носители тока, имеющие энергию теплового происхождения,
генерируются в объёме полупроводника и, дрейфуя к
p-n
переходу, захватываются его
электрическим полем
E
.
Дрейфовый ток неосновных носителей равен
𝑗
др
= 𝑗
др 𝑛
+ 𝑗
др 𝑝
,
(2)
где
𝑗
др 𝑛
и
𝑗
др 𝑝
– электронная и дырочная составляющие этого тока.
Этот ток очень мал, так как концентрация неосновных носителей мала и по своему
направлению он противоположен току диффузии
𝑗
диф
.
Поскольку через изолированный полупроводник ток проходить не должен, между
диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие и общий
ток через
p-n
переход равен
𝑗 = 𝑗
диф
− 𝑗
др
= 0.
(3)
Таким образом, без приложения внешнего напряжения два встречно-направленных
потока носителей тока компенсируют друг друга.
904
Научный журнал «Инновации. Наука. Образование»
Индексация в РИНЦ
н
Достарыңызбен бөлісу: |