Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
жүктеу/скачать 5,96 Mb. Pdf көрінісі
|
5ddcb76d5d423 1574745965
| 2.2.
ЖЭ СХЕМАСЫ БОЙЫНША ТРАНЗИСТОРДАҒЫ КҮШЕЙТКІШ СХЕМАСЫ ЖЭ схемасы бойынша күшейткіш каскадта сигнал көзі транзистор базасына қосылады. Күшейткіш схемасы 2.11-суретте берілген. С1 конденсаторы ажыратқыш болып табылады, ол қоректендіргіш көзі тогын сигнла көзі тізбегіне өткізбейді, R1, R2 резисторлары база-эмиттер кернеуін тұрақтандыру үшін бөлгіш қалыптастырады және трназистордың кіріс сипаттамасында жұмыс нүктесін ұсынады. R4 резистор күшейткіш каскадының температуралық тұрақтылығын қамтамасыз етеді. С2 конденсаторы ажыратқыш болып табылады және қоректендіргіш көзінің тұрақты құрамдасын R5 резистор жүктемесіне өткізбейді. Синал көзі ретінде параметрлі гармониялық тербеліс көзін пайдаланамыз (2.3-кесте). Элементтер номиналдары: С 1 = С 2 = 10 мкФ, R 1 = 6 800 Ом, R 2 = 2 000 Ом, R 3 = R 5 = 1 000 Ом, R 4 = 200 Ом. Қоректендіргіш көзінің кернеуі 9 В. Схема құру кезінде элементтің реттік белгіленуі автоматты түрде пайда болады да, тек элементтер номиналдары көрсетіледі. Транзистор моделі — КТ315В. Micro-Cap бағдарламасында биполярлы транзистор келесідей негізгі параметрлерге ие (2.4-кесте). 2 . 1 1 - с у р е т . ЖЭ күшейткіш схемасы 2 . 3 - к е с т е жүктеу/скачать 5,96 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|