Научно-методический журнал Серия: Естественно-технические науки. Социальные и экономические науки. Филологические науки
жүктеу/скачать 4,81 Mb. Pdf көрінісі
|
2-сан 2023 (1-серия)
| Ilim h
á m jámiyet. №2.2023 16 Рис.1 . Вольтамперные характеристики диодов с барьером Шоттки при разных временах СВЧ облучения: 0 - исходный образец; 1-4 – после СВЧ обработки в течение 1, 2, 5 и 10с соответственно ( ) где I -полный ток, -ток насы- щения A постоянная Ричардсона SiC6H, Т- температура, B -высота барьера, n -фактор неидеаль- ности, k -постоянная Больцмана, S -площадь контакта, e -заряд электрона. Рассчитанные из этих уравнений в и n до и после сверхвысокочастотной обработки представлены на рис 2 а, и б. Каждая выборка имела по 100 микродиодов с рабочей площадью ~3,14∙10 -4 см 2 . Как видно из рис. 2 а, наиболее вероятная величина b при сверхвысокоча- стотной обработке до 5 с сравнительно с контрольной величиной – возрастает. Судя по рис. 2.б, фактор иде- альности n этих диодных структур при облучении до 5с практически не изменяет свое значение. Как известно [5], на межфазные взаимодействия на границе раздела металл-SiC существенное влияние ока- зывают ионизирующая радиация и термообработка. При этом возможны как гомогенизация структурных свойств границы раздела, обуславливающая повышение выхода приборных структур с идентичными параметрами, так и структурно- примесное разупорядочение и значительный массопе- ренос компонентов контакта, определяющие ухудше- ние параметров приборных структур. Данные по влия- нию сверхвысокочастотного излучения на межфазные взаимодействия в контакте TiB x -n-6H-SiC, как, впро- чем, и на границах раздела металл- SiC в литературе отсутствуют. Нами была предпринята попытка иссле- довать профили распределения компонентов в контакте TiB x -n-6H-SiC до и после сверхвысокочастотной обра- ботки в течении 5 секунд. Временной интервал 5 с выбран с целью сравнения профилей распределения компонентов в контакте с па- раметрами диодных структур с барьером Шоттки TiB x - n-6H-SiC, облученных в этом же режиме и в которых именно в этом режиме наблюдались улучшения пара- метров. Как показывают результаты исследований сверхвы- сокочастотного воздействия оказывает влияние на электрические характеристики, обусловленное различ- ной природой этих воздействий. В частности, при сверхвысокочастотной обработке не наблюдается разогрев образцов. Исследование ди- намики изменения высоты барьера и коэффициента неидеальности прямой ветви вольт-амперной характе- ристики от времени экспозиции сверхвысокочастотного излучения показало, что высота барьера имеет макси- мальное значение при 5-6 с., а коэффициент неидеаль- ности остается неизменной до 5 с., (см. рис. 2.) Таким образом воздействие сверхвысокочастотным излучением в течение 5 с. является наиболее оптималь- ным для улучшения параметров диодов с барьером Шоттки на основе TiB x (ZrBx)-n-SiC. Таким образом, с ростом времени экспозиции до 10с улучшаются параметры поверхностно-барьерной структуры Au-TiB x -n-SiC 6H, а именно высота барьера растет, фактор идеальности и величина обратного тока уменьшается жүктеу/скачать 4,81 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|