346
Бос кемтіктер мен электрондар концентрациясының әртүрлі
болуының салдарынан энергия көзінің ажыратылған тізбегінде
жартылай өткізгіштердің бөліну шекарасының екі жағынан да
р
-
типті
жартылай өткізгіштен кемтіктер бөлігі
n
-
типті
жартылай өткізгішке
диффузияланады (ауысады), ал
n
-
типті жартылай өткізгіштен
электрондар бөлігі
р
-
типті жартылай өткізгішке диффузияланып, өз
арасында толықтай рекомбинацияланады. Нәтижесінде жартылай
өткізгіштердің бөліну шекарасының бойында
р-n
-
өткелін
тудыратын
,
р
-
және
n
-
типті жартылай өткізгіштер
жақтан сәйкесінше
жылжымайтын теріс және оң иондардың қабаттары пайда болады. Екі
қабаттың да зарядтарының абсолюттік мәндер бірдей. Осы
қабаттардың арасында пайда болатын кернеулігі
ξ
электр өрісі бос
кемтіктер мен электрондардың бөліну шекарасы арқылы одан әрі
диффузиялануына кедергі болады. Электр өрісі кернеулігінің кейбір
мәнінде
р-n
-
өткелде бөліну шекарасы
арқылы диффузия толығымен
тоқтайды. Егер бөліну шекарасында
(х = 0, 13.4
-
сурет
,
б
)
потенциал
мәнін
V
(0) = 0
деп алсақ, онда потенциалдың
р
-
және
n
-
типті
жартылай өткізгіштердегі таралуы мына тәуелділікпен анықталады:
(13.3)
р-n
-
өткелдегі Δ
V
потенциалдардың айырымы
потенциалдық
тосқауылдың биіктігі
деп аталады. Егер
р
-
және
n
-
типті жартылай
өткізгіштердің бос шеттеріне кернеуі
U <
0
энергия көзін қоссақ, онда
потенциалдық тоқсауылдың биіктігі
ұлғаяды және тізбекте ток
болмайды. Егер көз кернеуі
U >
0
болса
,
онда потенциалдық
тосқауылдың биіктігі азаяды да, тізбекте электр тогы
пайда болады.
Сәйкесінше,
идеалды
р-n
-
өткелде тек бір бағыттағы
негізгі
тасушылар диффузиясының электр тогы
болуы мүмкін.
Термогенерация
р-n
-
өткелдегі процестерді өзгертеді. Сыртқы
энергия көзінің әсерімен потенциалдық тосқауыл ұлғайған жағдайда
ток нөлге тең болып тұрады.
Термогенерацияның төмен
қарқындылығының салдарынан осы токтың мәні жоғары болмайды.
Достарыңызбен бөлісу: