Расчет усилителя низкой частоты на транзисторе

Расчет усилителя низкой частоты на транзисторе

1. 
   Определяем падение напряжения на коллекторном резисторе в состоянии покоя
   

2. 
   Ток базы транзистора в состоянии покоя
   

3. 
   Ток делителя, протекающий по резисторам R₁, R₂ (берем в 5 раз больше тока базы)
   

4. 
   Напряжение питания схемы как сумма трех напряжений
   

5. 
   Падение напряжения на резисторе R₂ делителя как сумма двух напряжений
   

где значение U_Э задано в таблице, напряжение U_БЭ считаем равным 0,3 В для германиевых транзисторов и 0,6 В для кремниевых.

6. 
   Падение напряжение на резисторе R₁ как разность напряжений питания E_K и падения напряжения на резисторе R₂
   

7. 
   Сопротивление резистора R₂ по закону Ома
   

8. 
   При расчете сопротивления резистора R₁ учитываем, что через него протекает сумма токов
   

9. 
   Входное сопротивление усилителя R_ВХ как эквивалентное сопротивление трех включенных параллельно сопротивлений R₁, R₂, h_11Э
   

10. 
    Сопротивление нагрузки усилителя принимаем
    

11. 
    Сопротивление резистора R_Э по закону Ома
    

12. 
    Емкость шунтирующего конденсатора С_Э в эмиттерной цепи по приближенной формуле
    

13. 
    Емкость разделительного конденсатора на входе схемы
    

14. 
    Емкость разделительного конденсатора на выходе схемы принимаем
    

15. 
    Коэффициент усиления по напряжению в области средних частот
    

где R_Kн – сопротивление, эквивалентное параллельно включенным резисторам R_K, R_H, R_ВЫХ (R_ВЫХ =1/h_22Э – выходное сопротивление транзистора)

16. 
    Мощность, рассеиваемая отдельно на резисторах R_K и R_Э
    

Резисторы выбираются таким образом, чтобы их максимальная рассеиваемая мощность не менее чем в 2 раза превышала рассчитанную мощность

Рассеиваемая на коллекторе мощность

не превышает значения максимально допустимой мощности Р_Кmax = 0,15 Вт, которая приводится в табл. 1.