Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці
жүктеу/скачать 171 Kb.
|
розділ 2
- Бұл бет үшін навигация:
- 2.6. Транзистори
- 2.6.1. Біполярні транзистори
| в) світловипромінювальні діоди; Світловипромінювальні діоди мають дуже високий ККД, який може досягати 80 відсотків. Вони довговічні, оскільки на відміну від ламп розжарювання і газорозрядних ламп не містять ниток розжарення, катодів та інших вузлів, що швидко зношуються.
г) лазерні світловипромінювальні діоди; Принцип дії лазерних світловипромінювальних діодів аналогічний принципу роботи світловипромінювальних діодів, з деякими відмінностями. е) логічні схеми на діодах; Діоди можуть використовуватись для реалізації різноманітних схем, що виконують логічні операції. є) тунельні діоди; Тунельні діоди – це діоди, в яких використовуються напівпровідники з надзвичайно великою концентрацією домішок. (10191021см3). ж) фоторезистори та фотодіоди. Принцип роботи фоторезисторів та фотодіодів базується на явищі фотопровідності. Під фотопровідністю розуміють електропровідність, яка виникає в напівпровіднику при освітленні його світлом, в тому числі і інфрачервоним випромінюванням. 2.6. Транзистори Транзистор (від англ.: transfеr - переносити і резистор), напівпровідниковий прилад для посилення, генерування і перетворення електричних коливань, виконаний на основі монокристалічного напівпровідника (переважно Si або Ge), що містить не менше трьох областей з різною, - електронною (n) і дірковою (p) - провідністю. Електронна промисловість випускає широкий асортимент транзисторів, застосування яких дозволяє створити економічну по живленню, малогабаритну і надійну апаратуру. Класифікація транзисторів представлена на рис. 2.23. 2.6.1. Біполярні транзистори Основним елементом транзистора є кристал германію або кремнію, в якому створені три області різної провідності. Дві крайні області завжди мають провідність одного типу, протилежного провідності середньої області. Такі прилади називаються транзисторами типу npn або pnp (див. правий рис. 2.24). Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – колектором, інша – емітером. Область бази в транзисторі є дуже тонкою – близько декількох мкм. Крім того, концентрація атомів домішки в базі незначна – в багато разів менша, ніж в емітері. Отже, такий транзистор має два p-n переходи, які називаються колекторним та емітерним. жүктеу/скачать 171 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|