Лекции по наноматериалам и нанотехнологиям



Pdf көрінісі
бет33/103
Дата19.12.2023
өлшемі12,63 Mb.
#197643
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   103
Байланысты:
Nanomateriali i nanotehnologii bak

c






Здесь
K
- константа энергии анизотропии, 
V
- объем кластера, 
S
M

намагниченность, 

- угол поворота магнитного момента кластера. 
При охлаждении нанокластеров ниже некой температуры блокования 
B
T
тепловые флуктуации замораживаются, и образуется спиновое стекло с 
разупорядоченными магнитными моментами нанокластеров. 
Магнитное квантовое туннелирование 
В кластерных молекулярных кристаллах могут происходить квантово-
туннельные переходы. Они сопровождаются дискретным изменением 
намагниченности нанокластера и всего кристалла. Такая наноструктура 
характеризуется ступенчатым характером кривой намагниченности. Время 
релаксации магнитного момента кластерного монокристалла испытывает 
скачки (см. рис.1.50 и 1.51) 


66 
 
Рис. 1.50. Кривые намагниченности 
M
кластерного монокристалла ацетата марганца 
12
Mn
при разных температурах в зависимости от напряженности магнитного поля 
H
(Тл).[2] 
Петля гистерезиса состоит из вертикальных и плоских участков. На 
плоских участках гистерезисной петли время релаксации магнитного момента 
больше времени измерения, которое около 600 сек. На наклонных участках 
время релаксации близко ко времени измерения, что приводит к ряду 
минимумов на кривой зависимости времени суперпарамагнитной релаксации 

от величины внешнего магнитного поля 
Н
. см рис. 51. 
Время релаксации осциллирует по отношению к приложенному полю с 
минимумами, соответствующими ступеням на петле гистерезиса. 
Рис. 1.51. а) Зависимость времени релаксации 
C
T
магнитного момента кластерного 
монокристалла ацетата. б) Зависимость времени релаксации 
C
T
от температуры 
T
при 
разных значениях магнитного поля 
0
H
.(показано на врезке). 1-я верхняя кривая
0
0
H
Тл

[2] 
4-я кривая ((белые квадраты) 
0
0,88
H
Тл

, дальше поле нарастает.[2]


67 
На рис. 1.51. показаны строение молекулярного кластера 
12
Mn
и потенциальные 
ямы для электрона в случае термоактивированных (верхний рисунок) и 
туннельных переходов (нижний рисунок) от величины внешнего магнитного 
поля 
H
(Тл). Стрелками показаны значения магнитного поля 
0
H
, при которых 
происходят скачки при совпадении электронных уровней. 
Эти эффекты скачков можно понять при рассмотрении электронного 
строения и туннельных переходов между электронными уровнями 
молекулярного кластера 
12
12
2
3 16
2
4
(
)(
) (
)
Mn
O
O CCH
H O
(см. рис. 1.52.). Внутренне 
ядро кластера, включающее ионы марганца имеет тетрагональное двухслойное 
строение: атомы 
4
Mn

образуют кубановый каркас со структурой 
4
4
Mn O
и 
спином 
3 / 2
S

, а восемь внешних атомов 
3
Mn

со спином 
2
S

образуют 
наружный слой. Обменное взаимодействие внутри кластера стабилизируют 
ферримагнитное основное состояние кластера с коллективным эффективным 
спином 
10


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   103




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет