1. Теориялық бөлім



бет14/18
Дата14.05.2022
өлшемі1,38 Mb.
#143367
1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   18
4. β, RЭ, rВХ ТРАНЗ параметрлерін есептеу
Кесте 2 деректер негізінде және анықталған мәндер ЕК және IЭ0, келесі шамаларды есептейміз:
1) күшейткіш кернеудің статикалық β коэффициенті
β = α /(1 - α) = - h21Б /(1 + h21Б) = 0,96 / (1 - 0,96) = 24
2) эммиттер тізбегінің RЭ кедергісі
RЭ = (0,2 ÷ 0,3) · ЕК / IЭ0 = (0,2 ÷ 0,3) · 13 / 22.58 · 10-3 = 0.57*10-3 (0.2÷0.3) (114÷117) = 115 Ом;
Ек =(1,2÷1,5)*2* UmВЫХ=(1,2÷1,5)*2*5=(1,2÷1,5)=13
3) транзистордың кіріс rВХ ТРАНЗ кедергісі
rВХ ТРАНЗ = rБ + (1 + β) rЭ ≈ h11Э = h11Б. / (1 + h21Б) = 20 / (1 - 0,96) = 500 Ом


5. R1, R2, IДЕЛ, RК параметрлерін есептеу
R1 кедергі резисторына кернеу бөлгіш мән береміз
R1 = 4 · rВХ ТРАНЗ, = 4 · 500 = 2000=2 кОм.

Әрі қарай келесі шамалардың мәнін анықтаймыз:


1)ток тізбегі кернеу бөлгіштің мәні IДЕЛ


;
2)кедергі резисторы R2 кернеу бөлгіш ;
3) коллектор тізбегінің RК кедергісі
.




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   18




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет