А., Абуова Ф. У. Конденсирленген күй физикасы астана 2011
жүктеу/скачать 17 Mb.
|
Пособие по ФКС каз.окон
| Дендрит
Дендрит Dendrite Ағаш тәрізді құрылымға ие балқымадан өсірілген кристаллит. Кристалдық тордың ақауы (ақаулары) Дефе́кт (дефекты) кристалли́ческой решё́тки Crystalline defect, lattice defect, structural defect Потенциалдық энергияның минимумына сәйкес келетін қатты дененің кристалдық торындағы бөлшектердің (атомдардың, иондардың, молекулалардың) периодты орналасуының бұзылуы. Кристалдардың физикалық қасиетін өзгерте алады. — биографиялық ақау (меншікті) / дефект биографический (собственный)/ biographical defect — материалдың өсу процесінде оның құрамының стехиометрліктен ауытқуы, температуралық шарттардың өзгеруі және т.б. нәтижесінде пайда болатын кристалдағы ақау. — ішкі ақау / дефект внутренний/ internal defect — беткі қабаттан белгілі бір тереңдікте жиналатын ақау. — критикалық ақау / дефект критический/ critical defect, fatal defect — денеге түсірілген кернеуде өлшемі одан асып кетсе оның өздігінен қирауына алып келетін макроскопиялық ақау. — бір өлшемді ақау / дефект одномерный/ one-dimesional defect — сызық түріндегі ақау. — беттік ақау / дефект поверхностный/ surface defect — фазаның бөліну шекарасы бетіндегі кристалдық тордың жинағыш ақауы. — нүктелік (нөл өлшемді) ақау / дефект точечный (нульмерный) / point (spot) defect — бір немесе бірнеше түйіндермен шектелген идеал кристалл торының бұзылуы. Түйінаралық атомдар, вакансиялар, дивакансиялар нүктелік дефектілер болып табылады. — жинаушы ақау / дефект упаковки/ stacking fault, dislocation — кристалдық тордағы тығыз жинақталған атомдық қабаттар реттілігінің бұзылуы. — пішін ақауы / дефект формы/ shape defect — бұйымның технологиялық шарттармен белгіленген пішінінің ауытқуы (мысалы, қисықтық, жазық еместік, орақ тәріздік және т.б.). — орын басу ақауы/ дефекты замещения/ substitutional defect — негізгі заттың кристалдық торының түйіндеріндегі матрица бөлшектерін (атомдарды, иондарды) қоспамен ауыстыру нәтижесінде пайда болатын кристалдағы ақау. Қоспалық элементтің матрицалық элементті алмастыруы олардың атомдық (иондық) радиустары неғұрлым жақын болған сайын оңай жүзеге асады және негізгі екі топқа бөлінеді. Электрондық құрылымы негізгі заттың құрылымына енетін атомдардың электрондық құрылымдарына ұқсас қоспалық атомдар бірінші топқа жатады. Бұл жағдайда кристалдың идеал құрылымының немесе әйнек тәрізді материалдың торынының ретін бұзбайды, бірақ атомдық өлшемдерінің әртүрлілігінің әсерінен серпімді бұзылулардың аз уақыт әрекет ететін өрісін тудыруы мүмкін. Егер атомдық өлшемдері неғұрлым жақын болса, серпімді бұзылулардың алыстан әрекет ететін өрісін тудырады. Орын ауыстыру ақауларының екінші тобына негізгі зат атомымен салыстырғанда басқа зарядтық күйде бола тұра (әдетте бірлік зарядқа ерекшеленеді), олармен изоэлектрондық құрылымға ие болатын ақаулар жатады. Мұндай атомдар матрица торына орналақан кезде артық заряд тасымалдаушыларды оның энергетикалық зоналарына немесе заряд коспенсаторларына жақын орналасқан торлардың энергетикалық зоналарына беруі тиіс. — қоспалық ақаулар / дефекты примесные/ dash defects — кристалдық торда жетілмеген кемшіліктерінің жинақтық атауы; торда матрицаға қатысты өзге атомадардың болуы нәтижесінде түзіледі. — радиациялық ақаулар / дефекты радиационные/ radiation(-induced) defects, radiation damages — кристалдық құрылымның жылдам бөлшектердің ағыны немесе электромагниттік сәуленің жоғары энергетикалық кванттарымен сәулелендіру нәтижесінде бұзылуы. жүктеу/скачать 17 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|