қайта ашты, және содан соң 1883 жылы патенттеген(№ 307031-шi АҚШ патентi). Дегенменде Эдисон жұмыстарын ары қарай дамытуға идея болмады. 1899 жылы германдық ғалым Карлы Браун Фердинанд кристаллды түзеткiштi патенттады
Схемотехникалық кескінді электровакуумды диод: ортасындағы жылытқыш шыны лампалы — катод, шеткі жағындағы — анод. Оң жағындағы — лампалы диодтың сұлбадағы белгіленуі.
Импульсті диодтар Түзетуші жартылай өткізгішті металл контактіні Шоттки бөгеуілі деп атайды, ең алғашқы осындай контактінің құрамын зерттеген неміс ғалымы В. Шоттки атымен. Р-п ауысуындағы диодтармен салыстырғандағы осы диодтардың ерекшелігі болып жартылай өткізгішті металл контактісінің тікелей араласуы кезінде ол арқылы негізгі заряд тасымалдаушылары инжекцияланады. Негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болмайды. Сондықтан Шоттки диодтарында р-п ауысуларында диодтардың тез қозғаласының бәсеңденуі негізделген базадағы негізгі емес заряд тасымалдаушыларының көбеюі және жойылуы сияқты процестер жоқ. Шоттки диодтарының инжекциялығы тек олардың бөгеуілдік сыйымдылықтарының көлемімен анықталады. Бұл диодтар келесі түрде жасалады. Эпитаксиалды әдіспен п-типтік өткізгішті кремнийдің қатты қоспасының жанында п-типті өткізгіштің аса жоғары кремнийлік қабаты өседі. Содан кейін вакуумдағы термитикалы жойылу әдісімен, төменгіомды кремний қабатына металл пленкасы тұнады, онда электрондар шығысындағы жұмысы кремнийлік шығысындағы жұмысынан көп болады. Нәтижесінде осы контактіде Шоттки барьері пайда болады. Шоттки барьері бар диодтарды жасау технологиясы. 1~nф барьерлі көлемді диодты алуына мүмкіндік береді. Сызба -1. Электр тізбегіне тура және кері бағытта қосылған диод. Өз бетіңізбен сызба -2де көрсетілген электр сызбасында лампалардың
