Дифференциалды күшейткіш
жүктеу/скачать 87,72 Kb.
|
1 2
Байланысты:Дифференциалды күшейткіш
| Iэ тогы эмиттерлер, VT1 және VT2 дифференциалды күшейткіші тогының сомасы болып табылады және ол VT3-те тұрақты токтың генераторымен беріледі. ТТГ схемасы – бұл жалпы базамен схема бойынша күшейткіш. Оның шығыс кернеуі схемадағы RЭ-дан көбірек . VT3 базасына орын ауыстыру R1, VD, R2 бөлгіштері арқылы беріледі. VD диоды термокомпенсация үшін әділ қызмет етеді.
R1>> R2, Rэ шарты орындалу керек. I1 тогы R1 тұрақтылығы арқылы, себебі R1 үлкен және температураға еш тәуелді емес. Өз кезегінде Кирхгофтың бірінші заңына байланысты . Температураны жоғарылатқан кезде VT3 кіріс сипаттамасы солға ығысады, яғни эмиттер Iэ3 тогы көбейеді. Бір уақытта VD диодының кернеуі азайып, I2 тогы көбейеді. Осыдан шыға, I1 ‑ I2 тең, Iб3 тогы азаяды. Iк3 = Iб3 тогы да азаяды. Осыған сай, дифференциалды күшейткіштің Iэ эмиттер тогы тұрақты болады. Iэ-ды аналитикалық жолмен анықтайық. Iб3 << Iэ болғандықтан, Iэ3 = Iк3 = Iэ есептеуге болады, онда . (1.1) Iб3 << I1 болғандықтан, I1 = I2. 1.3 суретінде көріп тұрғандай . (1.2) (1.1) суретінен ескере отырып, Iэ табамыз. , яғни Iэ тогы температураға тәуелді емес, ТТГ-нан да сол сұралады. 1.1.3 Дифференциалды күшейткіштердің түрлендірілген схемалары. ДК-ның түрлендірілген схемаларында келесілер қолданылады: а) ДК кірістеріне қосымша транзисторлары қойылады (Дарлингтон жұбы), олардың кіріс кернеулері әлдеқайда жоғары және ток тасымалдау коэффициенті екі транзисторға тең; б) ДК кірісінің алдына эмиттерлік қайталағыштар қойылады, олардың кіріс кедергісі бірнеше килоом; в) кірісінде өрістік транзисторларымен ДК; г) динамикалық жүктемесімен ДК. жүктеу/скачать 87,72 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|
1 2