Мазмұны Кіріспе І – Тарау; Әдебиеттерге шолу
жүктеу/скачать 5,67 Mb.
|
Дип.-Денелердің-беріктілігін-зерттеу
| 2.15.-сурет
Деформацияланбаған кристалдарда жинақталған вакансияларда дислокация көзі ролін атқаруы мүмкін, олардан оң және теріс дислокациялардың пайда болуын схема түрінде былай көрсетуге болады (2.15.-сурет). Сыртқы күштің әсерінен кристалдың пластикалық деформациялануы сырғанау жазықтықтарындағы дислокациялардың қозғалып, кристалл бетіне шығуының арқасында болады. Егер кристалдағы пластикалық деформация тек кристалл ішіндегі дислокациялардың кристалл бетіне шығудың арқасында болса, онда пластикалық деформация бару процесінде кристалл ішіндегі дислокациялар азайған болар еді, соның арқасында кристалл идеал ақауы жоқ (дислокациясы жоқ) күйге айналған болар еді. Бұл жағдай тәжірибе нәтижелеріне қарсы, эксперимент нәтижелеріне қарағанда деформация өскен сайын тордың бұзылу дәрежесі төмендемейді, керісінше өседі, олай болса дислокация тығыздығы да өседі. Сондықтан, қазіргі кезде пластикалық деформацияны жүргізетін дислокация сыртқы әсер ететін күштің арқасында өтетін деформация процесі барысында генерацияланады. Яғни дислокация тығыздығы өседі деген ұғым қабылданған. Бұл генерацияның механизмін 1950 жылы Франк пен Рид ашқан. Бұл механизмді түсіндіру үшін трубкадағы сабын көпіршіктерінің пайда болу процесін қарастырайық (2.16.-сурет). 2.16.-сурет Трубканың шетін сабын ерітіндісімен майласақ, трубканың шетінде жазық пленка пайда болады, бұл пленка трубка тесігін жабады. Трубка ішіндегі ауаның қысымын ұлғайта бастағанда трубкадағы пленка өсіп, 1, 2, 3, 4, т.б. стадиялардан өтеді. Пленканың формасы жарты сфера болғанға дейін (2 стадия), пленканың күйі тұрақсыз болады: қысым азайған сайын пленка қысқарып, бұрынғы бірінші күйге оралады. Екінші стадиядан өткеннен кейін пленканың күйі өзгереді. Ол қысым тұрақты болғанда ғана емес, қысым жайлап азайғаннан трубкадан бөлініп кеткенге дейін өседі. Бірінші пленканың артынан пленка пайда болады, оның артынан үшіншісі, т.б. пленкалар пайда бола береді. Енді Франк-Рид көзінің әсерін қарастырайық (2.17.-сурет). 2.17.-сурет 2.17. а-суретте көрсетілген сырғанау жазықтықта орналасқан ДД' сызықты дислокацияны қарастырайық; Д және Д' нүктелер қозғалмайды. Олар дислокацияның қозғалуына қатыспайды. Дислокацияның мұндай бекітілуі екі дислокацияның қиылысқан нүктесінде немесе қоспа атомдарда, т.б. жағдайларда болуы мүмкін. Сыртқы кернеудің әсерінен сабын пленкасы секілді дислокация иіледі және бір мезгілде жарты шеңбер формасын қабылдайды (2.17. б-сурет). Сабын көпіршігі секілді дислокацияның иілуі әсер ететін кернеудің үздіксіз өсуі барысында болады. Кернеудің максимал мәні дислокацияның формасы жарты шеңбер болғанына сәйкес келеді. Сондықтан дислокация формасы ары қарай өзінен-өзі дамиды, өсу барысында екі спираль пайда болады (2.17. в-сурет), олар С нүктесінде кездескенде (2.17. г-сурет) дислокациялар сыртқы және ішкі болып екіге бөлінеді. Сыртқысы жабық шеңбер формасында болады, ал ішкісі бұрынғы ДД' орнына оралады (2.17. д-сурет). Сыртқы дислокация кристалдың сыртқы бетіне дейін өсіп, кристалды элементтер шамасына ығыстырады, ал ішкі дислокация бұрынғы ДД' орнын алып, кернеудің әсерінен тағы да иіліп және жоғарыда айтылған процестер қайталанады. Бұл процесс керегінше сан рет қайталанып, сырғанау жазықтықтарына да кристалдың бір бөлігінің екінші бөлігінен елеулі ығысуына алып келеді. Ығысуға кристалдардың беріктілігі төмен болуының себебі, бұл кристалдарда баста дислокациялардың болуы және ығысу процесі барысында олар генерациялануымен байланысты. Екінші жағынан, пластикалық деформацияның дамуы және ақаулардың өсуі барысында кристалл беріктелінетіндігі белгілі. Беріктелінудің себебі, дислокациялар бір-бірімен және түрлі ақаулармен әсерлеседі. Сондықтан олар бірінің қозғалуына бірі кедергі жасайды. жүктеу/скачать 5,67 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|