P-n алу әдістері p-n ауысуы, оның қасиеті



бет5/8
Дата06.02.2022
өлшемі3,85 Mb.
#81164
1   2   3   4   5   6   7   8
Байланысты:
P-n алу әдістері 2.pptx

Эпитаксиалды әдіс

  • Эпитаксиалды өткелдер монокристалды жартылай өткізгіштің бастапқы монокристалл- төсеніштегі қабатының бағдарлы бағытымен түзіледі
  • «Эпитакси» термині кристалдық өсу үрдісін сипаттау үшін енгізілді. Ол екі грек сөзінен тұрады: префикс «эпи» - және «такси» тамыры - келісім тәртібі. Эпитаксиалды қабат кристалдық субстратта сақталатын кристалдық материал болып табылады
  • бұл субстраттың морфологиясы. Эпитаксиалды өсу үрдісінде алынған фаза, әдетте эпитаксиалды өтпелі қабатты қалыптастыру арқылы қолданыстағы фазаның кристалды торын жалғастырады. Өтпелі қабат атомдарының орау тығыздығына ұқсас тығыздығы субстраттың кристалдық құрылымы туралы негізгі мәліметтер арқылы қамтамасыз етілетін екі массивтер мен сызықтар координаттарына әсер етеді


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет