Көптеген жартылай өткізгішті құрылғылар мен белсенді элементтердің интегралды микросызбалары жұмысының негізінде р-п ауысуларының қасиеттерін пайдаланылып жатыр. Алайда р-n- ауысуы электроөткізгіштіктің әр түрлі типті екі жартылай өткізгіш кристалдарының жай жанасу жолымен жасалмайды, өйткені кристалдар арасында әр қашан аралық қабат болады. Негізінде р-n- ауысуын арнайы технологиялық тәсілдердің көмегімен жасайды.
Дайындау технологиясы бойынша р-n-ауысулары қорытпалы және диффузиялық деп бөледі. Қортпалы ауысуды дайындауда арнайы типтің қоспалы жартылай өткізгішінің пластинкасын,мысалы p-типті кремний қажетті қалыңдыққа дейін тегістеледі,содан кейін оның үстіне Менделеев кестесінің ІІІ топтағы элементінің кішкене түйірі бекітіліп, пешке орналастырады, онда ол қоспаны қорыту температурасынан жоғары, бірақ жартылай өткізгіштің нүктесінен төмен температураға дейін жылытылады. Осының нәтижесінде кристалға қоспаны қорыту және р-n- ауысуының қалыптасуы болады. р-n- ауысуын диффузиялық әдіспен дайындауда қорғайтын тотыққан қабатты жартылай өткізгішті пластинкалар алдын ала фотолитографикалық өңдеуге ұшырайды, содан соң тоттыққан қабаттан бос-«терезе» пластинканың бетінде берілген конфигурацияның ауданы жасалады. Фотолитографиядан кейін осы «терезелер» арқылы жартылай өткізгішті пластинкаға қоспалар диффузиясын өткізеді және р-п ауысуын алады.
Дайындау технологиясы бойынша р-n-ауысулары қорытпалы және диффузиялық деп бөледі. Қортпалы ауысуды дайындауда арнайы типтің қоспалы жартылай өткізгішінің пластинкасын,мысалы p-типті кремний қажетті қалыңдыққа дейін тегістеледі,содан кейін оның үстіне Менделеев кестесінің ІІІ топтағы элементінің кішкене түйірі бекітіліп, пешке орналастырады, онда ол қоспаны қорыту температурасынан жоғары, бірақ жартылай өткізгіштің нүктесінен төмен температураға дейін жылытылады. Осының нәтижесінде кристалға қоспаны қорыту және р-n- ауысуының қалыптасуы болады. р-n- ауысуын диффузиялық әдіспен дайындауда қорғайтын тотыққан қабатты жартылай өткізгішті пластинкалар алдын ала фотолитографикалық өңдеуге ұшырайды, содан соң тоттыққан қабаттан бос-«терезе» пластинканың бетінде берілген конфигурацияның ауданы жасалады. Фотолитографиядан кейін осы «терезелер» арқылы жартылай өткізгішті пластинкаға қоспалар диффузиясын өткізеді және р-п ауысуын алады.
