Исследование полупроводниковых диодов в «electronics workbench» методические указания к лабораторному практикуму



бет3/4
Дата21.05.2022
өлшемі0,53 Mb.
#144396
түріИсследование
1   2   3   4
Байланысты:
labor. rabota 1 (issledovanie dioda)- zaochnoe2021

1.2 Программа работы.
1.2.1 Эксперимент 1: Снятие вольтамперной характеристики диода.
Откройте файл лаб1_электроника_1 (рисунок 1.3). Для снятия прямой ветви ВАХ переключатель установите в правое положение. Включите схему.
Последовательно устанавливая значение ЭДС источника от 6 до 0 В, запишите значения напряжения Uпр и тока Iпр диода в таблицу 1.1.

Рисунок 1.3
Таблица 1.1 – Прямая ветвь ВАХ диода

Е, В

Uпр, мВ

Iпр, мА







Для снятия обратной ветви ВАХ переключатель установите в левое положение. Последовательно устанавливая значение ЭДС источника от 0 до 20 В, запишите значения напряжения Uоб и тока Iоб диода в таблицу 1.2.
Таблица 1.1 – Обратная ветвь ВАХ диода

Е, В

Uоб, В

Iоб, мА







По полученным данным постройте графики Iпр=f(Uпр) и Iоб=f(Uоб).
1.2.2 Эксперимент 2: Получение вольтамперной характеристики диода на экране осциллографа.
Откройте файл лаб1_электроника_2 (рисунок 1.4). Включите схему. На ВАХ, появившейся на экране осциллографа, по горизонтальной оси считывается напряжение на диоде в милливольтах (канал А), а по вертикальной – ток в миллиамперах (канал В, 1 мВ соответствует 1 мА). Обратите внимание на изгиб ВАХ.
Начертите полученную ВАХ.



Рисунок 1.4


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4




©engime.org 2022
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет