Исследование полупроводниковых диодов в «electronics workbench» методические указания к лабораторному практикуму
жүктеу/скачать 0,53 Mb.
|
labor. rabota 1 (issledovanie dioda)- zaochnoe2021
| 1.2 Программа работы.
1.2.1 Эксперимент 1: Снятие вольтамперной характеристики диода. Откройте файл лаб1_электроника_1 (рисунок 1.3). Для снятия прямой ветви ВАХ переключатель установите в правое положение. Включите схему. Последовательно устанавливая значение ЭДС источника от 6 до 0 В, запишите значения напряжения Uпр и тока Iпр диода в таблицу 1.1. Рисунок 1.3 Таблица 1.1 – Прямая ветвь ВАХ диода
Для снятия обратной ветви ВАХ переключатель установите в левое положение. Последовательно устанавливая значение ЭДС источника от 0 до 20 В, запишите значения напряжения Uоб и тока Iоб диода в таблицу 1.2. Таблица 1.1 – Обратная ветвь ВАХ диода
По полученным данным постройте графики Iпр=f(Uпр) и Iоб=f(Uоб). 1.2.2 Эксперимент 2: Получение вольтамперной характеристики диода на экране осциллографа. Откройте файл лаб1_электроника_2 (рисунок 1.4). Включите схему. На ВАХ, появившейся на экране осциллографа, по горизонтальной оси считывается напряжение на диоде в милливольтах (канал А), а по вертикальной – ток в миллиамперах (канал В, 1 мВ соответствует 1 мА). Обратите внимание на изгиб ВАХ. Начертите полученную ВАХ. Рисунок 1.4 жүктеу/скачать 0,53 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|