Конспект лекций Алматы 2008 составители: Байдельдинов У. С, Аманжолова К. Б. Радиопередающие устройства. Конспект лекций для студентов всех форм обучения по специальности 050719 Радиотехника, электроника и телекомму


Напряжение высокой частоты, которое надо усилить, подается во входную сеточную цепь лампы



бет4/47
Дата30.09.2023
өлшемі16,15 Mb.
#183110
түріКонспект
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   47
Байланысты:
Лекции по РПДУна русс яз

Напряжение высокой частоты, которое надо усилить, подается во входную сеточную цепь лампы. Это напряжение называ­ют напряжением возбуждения. Для простоты анализа его прини­мают косинусоидальным
, (2.1)
где UC – амплитудное зна­чение напряжения возбуждения. Под действием переменного на­пряжения возбуждения ток в цепи анода будет изменяться
, (2.2)
где IA0 – постоянная составляющая анодного тока, создаваемая источником анодного питания, IA~ – амплитуд­ное значение переменной составляющей анодного тока, вызванное действием напряжения возбуждения.
Переменная составляющая анодного тока протекает по цепи: анод – катод внутри лампы, через источник питания (через кон­денсатор СБЛ), колебательный контур к аноду лампы. Колебатель­ный контур, настроенный в резонанс с частотой напряжения возбуж­дения, оказывает переменной составляющей анодного тока большое (RЭ = 10 кОм) и чисто активное сопротивление RЭ. Поэтому пере­менная составляющая IA~, проходя через контур, создает на нем падение напряжения
. (2.3)
Вследствие усилительных свойств лампы напряжение UВЫХ = UА будет намного больше подведенного к сетке напряжения возбуждения. Мощность созданных в контуре колебаний будет также больше мощности ко­лебаний, поданных на вход генератора. Таким образом, в процес­се работы генератора происходит усиление подведенных ко входу колебаний по мощности.
Т
Рисунок 2.4 - Схема транзисторного генератора с внешним возбуждением
ранзисторный генератор с внешним возбуждением
. Процесс усиления колебаний в этой схеме происходит следующим образом. При включении источника кол­лекторного питания ЕК в выходной цепи протекает слабый начальный ток, называемый обратным током коллектора и обозна­чаемый IКЭ0. Для схемы с общим эмиттером обратный ток коллек­тора IКЭ0 определяется при токе базы, равном нулю, как показа­но на рисунке 2.5. Обратный ток коллектора протекает по цепи: +ЕК, контур , коллектор – ба­за – эмиттер транзистора, –ЕК. Значение обратного тока коллек­тора определяется концентрациями неосновных носителей заря­да, поэтому обратный ток коллектора во многих случаях можно не учитывать.



Рисунок 2.5 - Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ






Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   47




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет