Напряжениевысокой частоты, которое надо усилить, подается во входную сеточную цепь лампы. Это напряжение называют напряжением возбуждения.Для простоты анализа его принимают косинусоидальным , (2.1)
где UC – амплитудное значение напряжения возбуждения. Под действием переменного напряжения возбуждения ток в цепи анода будет изменяться
, (2.2)
где IA0 – постоянная составляющая анодного тока, создаваемая источником анодного питания, IA~ – амплитудное значение переменной составляющей анодного тока, вызванное действием напряжения возбуждения.
Переменная составляющая анодного тока протекает по цепи: анод – катод внутри лампы, через источник питания (через конденсатор СБЛ), колебательный контур к аноду лампы. Колебательный контур, настроенный в резонанс с частотой напряжения возбуждения, оказывает переменной составляющей анодного тока большое (RЭ = 10 кОм) и чисто активное сопротивление RЭ. Поэтому переменная составляющая IA~, проходя через контур, создает на нем падение напряжения
. (2.3)
Вследствие усилительных свойств лампы напряжение UВЫХ = UА будет намного больше подведенного к сетке напряжения возбуждения. Мощность созданных в контуре колебаний будет также больше мощности колебаний, поданных на вход генератора. Таким образом, в процессе работы генератора происходит усиление подведенных ко входу колебаний по мощности.
Т Рисунок 2.4 - Схема транзисторного генератора с внешним возбуждением
ранзисторный генератор с внешним возбуждением. Процесс усиления колебаний в этой схеме происходит следующим образом. При включении источника коллекторного питания ЕК в выходной цепи протекает слабый начальный ток, называемый обратным током коллектора и обозначаемый IКЭ0. Для схемы с общим эмиттером обратный ток коллектора IКЭ0 определяется при токе базы, равном нулю, как показано на рисунке 2.5. Обратный ток коллектора протекает по цепи: +ЕК, контур LС,коллектор – база – эмиттер транзистора, –ЕК. Значение обратного тока коллектора определяется концентрациями неосновных носителей заряда, поэтому обратный ток коллектора во многих случаях можно не учитывать.
Рисунок 2.5 - Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ