Пробоем p-n перехода можно назвать нарушение нормального режима односторонней проводимости. По механизму возникновения различают тепловой и электрический виды пробоя.
Как было отмечено выше, при большом прямом токе происходит разогрев полупроводниковой структуры в соответствии с законом Джоуля – Ленца (физический закон, дающий количественную оценку теплового действия электрического тока, установлен в 1841 году Джеймсом Джоулем и независимо от него в 1842 году Эмилием Ленцом). Полупроводники обладают отрицательной зависимостью удельного сопротивления от температуры. С ростом температуры сопротивление уменьшается, ток растёт, разогрев становится всё больше. Если избыток выделяющегося тепла не удаётся отвести, наступает недопустимый перегрев, и происходит тепловой пробой.
Максимально допустимая температура, при которой ещё не наступает тепловой пробой, составляет для кремния 140 0С, для германия 70 0С.
Электрический пробой возникает при превышении допустимого обратного напряжения. Механизм возникновения электрического пробоя связан с эффектом Зенера. Суть эффекта – прохождение электронов через потенциальный барьер в области перехода х (туннельный пробой). В момент возникновения туннельного пробоя начинается увеличение обратного тока.
При дальнейшем увеличении обратного напряжения электроны, проходящие через потенциальный барьер, приобретают большую кинетическую энергию, достаточную для ионизации атома при соударении с ним. Происходит выбивание валентных электронов, и поток электронов нарастает, как лавина. Если конструкция перехода не предусматривает его работу в области лавинного пробоя, произойдёт разрушение полупроводниковой структуры. Максимально допустимое обратное напряжение, которое указывается в справочниках, устанавливается на уровне 0,7…0,8 от величины напряжение Зенера.
Достарыңызбен бөлісу: |