Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем 2.1. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод содержит только один p-n переход. Условное графическое обозначение полупроводникового диода и внешний вид некоторых типов полупроводниковых диодов представлен на рис. 2.1.
Рис. 2.1. Полупроводниковый диод:
а – условное графическое обозначение; б – внешний вид
1 – выпрямительный диод; 2 – фотодиод; 3 – СВЧ диод; 4 и 5 – диодные матрицы (сборки);
6 – импульсный диод. Корпуса диодов: 1 и 2 – металлостеклянные;
3 и 4 – металлокерамические; 5 – пластмассовый; 6 – стеклянный
Основными параметрами полупроводникового диода являются:
- средний прямой ток Iпр.ср;
- импульсный прямой ток Iпр.и;
- максимально допустимое обратное напряжение Uобр.макс.
Средний прямой ток – это максимально допустимая величина среднего (за период) значения прямого тока, длительно протекающего через диод. Iпр.ср существенно зависит от температуры и понижается с её ростом.
Импульсный прямой ток – это максимально допустимая амплитуда импульса прямого тока. В обязательном порядке учитывается при работе диода на активно-ёмкостную нагрузку.
Максимально допустимое обратное напряжение – это амплитудное значение обратного напряжения на диоде, при превышении которого может наступить электрический пробой.
Достарыңызбен бөлісу: | 
