Измерение параметров полупроводниковых приборов

116 
б) постоянный обратный ток при заданном обратном напряжении; 
в) постоянное обратное напряжение; 
г) напряжение стабилизации (для стабилитронов) при протекании заданного 
тока стабилизации; 
д) емкость диода; 
е) дифференциальное сопротивление. 
Свойства 
диодов 
на 
низких 
частотах 
достаточно полно
определяют их вольт-амперные характеристики (ВАХ). 
При 
оценке 
параметров прямой 
ветви ВАХ целесообразно
задавать постоянный ток Iпр и изменять прямое падение напряжения Uпр. 
Схема измерения параметров прямой ветви ВАХ диода приведена на рисунке 
59. 
При измерении параметров диода в области пробоя (в области стабилизации 
напряжения для стабилитронов) следует задавать значение обратного тока Iобр и 
определять обратное напряжение Uобр. 
Схема измерения параметров обратной ветви ВАХ диода приведена на рисунке 
60. 
Рисунок 59 - Схема измерения параметров прямой ветви ВАХ диода 
Рисунок 60 - Схема измерения параметров обратной ветви ВАХ диода 
Измерение параметров биполярных транзисторов. 

117 
При работе на малых сигналах (сигнал считается малым, если при увеличении его 
амплитуды на 50 % измеряемый параметр изменяется не более, чем на 10 %) 
транзистор рассматривается как линейный активный четырехполюсник в различных 
вариантах включения: 
а) с общей базой; 
б) с общим эмиттером; 
в) общим коллектором. 
Схема измерения параметров биполярных транзисторов приведена на рисунке 
61. 
Рисунок 61 - Схема измерения параметров биполярных транзисторов 
Если за независимые переменные выбрать i
1 
и U
2
, то получим систему уравнений, 
описывающих четырехполюсник с использованием h-параметров: 
U
1
h
12 
= U
2 
- коэффициент обратной связи по напряжению при i
1 
= 0 (холостой 
ход на входе); 
i
2
h
21 
= i
1 
- коэффициент обратной связи по току при U
2 
= 0; 
i
2 
h
22 
= U
2 
- выходная проводимость 
при i
1 
= 0. 
Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54 обеспечивает измерение 
основных параметров маломощных транзисторов и диодов малой и средней мощности, 
а также напряжения стабилизации. 
Наличие комбинированного питания (от сети или от батареи) и портативность 
создают удобство при эксплуатации. 
Испытателем Л2-54 можно измерить параметры h22b, h21, h21e, обратный ток 
коллектора I , а также можно проверить наличие к.з. между коллектором и cbo 
эмиттером испытуемого транзистора. 
Обратный ток коллектора I cbo проходит через обратно смещенный 
коллекторный переход и измеряется при отключенном выводе эмиттера. 
U
1
U
2
i
1
i
2

118 
Величина I cbo зависит от свойств применяемого полупроводникового материала и 
температуры. Для хорошей работы транзистора желательно иметь как 
можно меньшую величину I cbo. 
Для маломощных транзисторов I составляет от 10 до 20 мкА. Транзисторы
средней и большой мощности имеют значения I cbo от 400 до 500 мкА. 

119 

жүктеу/скачать 2,7 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: