ции в p-n-переходе, падения напряжения на базе диода,
изменения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в
нее неосновных носителей заряда и наличия в базе
внутреннего
поля,
возникающего
при
большом
коэффициенте инжекции. С учетом падения напряжения на
базе диода запишем уравне- ние прямой ветви вольт-
амперной характеристики диода:
I=I
T
(e
(U-Irб)/φT
-1)
(1.3)
где r
б
омическое сопротивление базы диода.
400>
Достарыңызбен бөлісу: