Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в ринц н Инновации. Наука. Образование
жүктеу/скачать 22,11 Mb. Pdf көрінісі
|
Номер 51 февраль 2022 года
- Бұл бет үшін навигация:
- Инновации. Наука. Образование
- Литература
| Инновации. Наука. Образование
воздействовать другое затухающее магнитное поле Н пар с амплитудным значением напряженности магнитного поля, превышающим более чем в два раза Н пер , с вектором, изменяющим направление со 180 о на 360 о , направленным параллельно относительно подложки полупроводникового носителя. Частота магнитного поля соответственно лежит в пределах от 2ω до 4ω . Это магнитное поле также воздействует на проводник и полупроводник и индуцирует в них переменное электрическое поле, а последнее в свою очередь вызывает появление вихревых токов, также приводящих в состояние возбуждения заряды в элементах РЭУ. Рисунок 1 – Воздействие магнитного поля на полупроводниковый элемент РЭУ с энергозависимой памятью при изменении направления вектора магнитного поля с 90 о на 270 о При одновременном воздействии двух затухающих магнитных полей с изменяющимися направлениями векторов, они складываются, образуя затухающее магнитное поле Н пер,пар с вращающимся вектором напряженности с углом α , значение которого изменяется по закону сложения магнитных полей, которое в свою очередь, проникая в проводник и полупроводник, индуцирует в них переменное электрическое поле, создающее вихревые токи. Таким образом, в качестве универсального тест-сигнала, способного проникать вглубь любой ПП и вызывающего «индивидуальный ответ» (индуцированные сигналы) ПП можно использовать ВЭМП с напряженностью, не превышающей пороговых 825 Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в РИНЦ н Инновации. Наука. Образование значений. Поместив ПП РЭУ, в ВЭМП с фиксированными параметрами и подключив к выходам функциональных цепей ПП РЭУ, образующих контуры, многоканальный осциллограф, можно зафиксировать величины индуцированных э.д.с. вполне конкретные для каждого экземпляра РЭУ. Приняв значения индуцированных э.д.с. исправной ПП за эталонные, можно проверять другие ПП, путем сравнения их индуцированных э.д.с. с эталонными значениями. Имея значительный банк значений э.д.с. ПП с различными неисправностями, возможно определять неисправность ПП до уровня ЭРЭ. На вышеизложенный способ диагностирования РЭУ получен патент Российской Федерации [6]. Литература: 1. Т.И. Трофимова Курс физики. Учебник М. «Высшая школа» 1990 г. 478 с. 2. Е.М. Гершензон, Н.Н. Малов, А.Н. Мансуров Электродинамика. Учебник М.:«Академия» 2002 г. 349 с. 3. К.Зеегер Физика полупроводников.М. «Мир» 1977г. 607 с. 4. А.Ф.Иоффе «Полупроводники в науке и технике» 2 т., М, Л. «Академия наук СССР» 659 с. 5. М.В. Фесенко, Б.В. Хлопов, А.С. Кузьминых, А.Ю. Митягин. Неоднородный полупроводниковый носитель информации в переменном магнитном поле. ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга» 6. Патент № 2683003 Российская Федерация, МПК G01R 31/26 жүктеу/скачать 22,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|