Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»

189 
Коллекторлық ауысу арқылы базаның (тесіктердің) негізгі емес 
зарядтар тасығыштары коллекторға ауысады, жəне кері ауысу тоғы 
база тесіктерінен түзілген тоққа артады (диодтың фототоғын ұқсас 
фототоқтың 
бір 
бөлігі). 
Алайда, 
фотодиодқа 
қарағанда, 
фототранзисторда фототоқтың екінші құраушысы бар: базадан 
тесіктердің қашуы оның ішіндегі қалпына келтірілмеген теріс 
кеңістік зарядының пайда болуына жəне эмитеттің əлеуетті 
тосқауылының төмендеуіне əкеліп соғады. Соның салдарынан 
эмитенттің базаға енгізген тесіктері саны көбейеді, демек, базадан 
коллекторға өтетін саңылаулар саны артады. 
Осылайша, фототранзистордың сезімталдығы фотодиодтың 
сезімталдығынан əлдеқайда жоғары. Үзілген базасы бар 
фототранзистордың вольт-амперлік сипаттамалары ЖЭ бар схема 
бойынша 
қосылған 
биполярлық 
транзистордың 
шығыс 
сипаттамаларына ұқсас. Аспаптардың негізгі параметрі жарық 
ағыны Ф болып табылады. Фототранзисторлардың жиіліктік 
сипаттамалары оның сыйымдылығы есебінен эмиттерлік ауысудың 
инерциялығына байланысты фотодиодтарға қарағанда нашар. 
Фототранзисторлардың параметрлері елеулі түрде температураға 
байланысты. 
Фототранзисторлар түрлі салаларда кеңінен қолданылады: 
фототеграфияда, фототелефонияда, есептегіш техникада, көрінетін, 
инфрақызыл жəне ультракүлгін сəулелерді тіркеу кезінде. 
12.5.
 
ФОТОТИРИСТОР 
 
Фототиристор 
— фотоэлектрлік əсер қолданылатын тиристор. 
Фототиристорлар жоғары қуатты электр сигналдарының жарық 
сигналдарымен коммутация үшін қолданылады. Фототиристор 
басқарылатын тиристордың фотоэлектрлік аналогы болып 
табылады. Фототиристорды қосу схемасы жəне оның шартты 
графикалық кескіні 12.8-суретте келтірілген. Фототиристордың төрт 
қабатты 
р
—
п
—
р
—n-құрылымы бар, оның П
1 
жəне П
2 
ауысулары 
тура бағытта, ал коллекторлық ауысу П
3
— кері бағытта ығысқан. 

жүктеу/скачать 5,26 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: