Транзисторда өтетiн процесстер және транзистордағы токтар. Сигналдарды
күшейту үшiн транзистордың эмиттерлiк р-n-өткелi кернеуге тiкелей, ал
коллекторлық өткелi кернеуге керi қосылады. Бұл жағдайда эмиттерлiк
өткелдiң потенциалдық тосқауылы төмендеп, заряд тасымалдаушылар
(кемтiктер) эмиттерлiк өткел арқылы базаға инжекция жасайды, ал базадағы
электрондар эмиттерге қарай инжекция жасайды, осыдан эмиттер тогы пайда
болады: Iэ=Iэр+Iэn.
Эмитент пен коллекторды қуат көзіне қосқан кезде токтың өтуі үшін барлық
дерлік жағдайлар жасалады. Бірақ заряд тасымалдаушылардың еркін
қозғалуына база кедергі келтіреді және бұл кедергіні жою үшін оған кіріс
кернеуі қолданылады. Жартылай өткізгіштің негізгі қабатында электронды
тесік рекомбинациясының физика-химиялық процестері пайда болады,
нәтижесінде база арқылы аз ток ағады. Нәтижесінде p-n ауысулары заряд
тасымалдаушылардың эмиттерден коллекторға өтуіне жол ашады.
Егер база арқылы өтетін ток қандай да бір заңға сәйкес өзгерсе, онда эмитент
пен коллектор арасындағы қуатты ток бірдей өзгереді. Демек, біз биполярлық
транзистордың шығысында базадағыдай сигнал аламыз, бірақ оның қуаты
жоғары болады. Бұл биполярлық транзистордың күшейту функциясы деп
аталады.
Достарыңызбен бөлісу: