Электроника

16 
Фоторезисторлардың негізгі параметрлері бұрын көрсетілген қараңғы 
кедергімен, күңгірт және жарық токтарымен қатар жұмыс кернеуі – бүкіл өмір 
бойы фоторезистордың басқа параметрлерінің өзгеруіне әкелмейтін мүмкін 
болатын ең жоғары кернеу және рұқсат етілген шашырау қуаты – фоторезисторға 
зақым келтірместен таратылатын максималды қуат, сондай-ақ басқа да 
параметрлер. 
Бүгінгі таңда фоторезисторлар ғылым мен техниканың көптеген 
салаларында кеңінен қолданылады. Бұл олардың жоғары сезімталдығына, 
дизайнның қарапайымдылығына, кішкентай өлшемдеріне және айтарлықтай 
рұқсат 
етілген 
шашырау 
қуатына 
байланысты. 
Оптоэлектроникада 
фоторезисторларды қолдану үлкен қызығушылық тудырады. Өнеркәсіптік 
электроникада фоторезисторлар бақылау және автоматика құрылғыларында, 
тұрмыстағы Автоматты және фотореледе, күзет жүйелерінде Жарық датчиктері 
ретінде қолданылады. 
1.1.4 р-п ауысуының құрылымын жасау және оның қасиеттері 
Көптеген 
шалаөткізгіштік 
аспаптардың 
негізі 
элементі 
болып, 
шалаөткізгіштің әр текті екі обылысының арасындағы ауыспалы екі қабаттан 
тұратын қабық - 
электронды-кемтіктік ауысуы
болып келеді. Мысалы 
германиден және кремниден тұратын диодтар монокристалдың бір қабатында 
акцепторлық қоспа енгізілген, ал монокристалдың екінші қабатында донырлық 
қоспа енгізілген екі қабатты әр текті электронды-кемтіктік (
р-п
)
- 
құрылымнан 
тұрады (1.5, а сурет). 
1.5 сурет. 
р-п- 
құрылымды шалаөткізгіште симметриалы емес тіке 
р-п 
– 
ауысының жасалуы 

17 
Егер 
акцептор 
мен 
донорлардың 
температуралары 
бөлменің 
температурасындай болса, онда олар толығымен ионизацияланады деп есептеуге 
болады. Бұндай жағдайларда акцепторлардың барлық атомдары өздеріне 
электрондарды қосып алады да, 
кемтіктер
пайда болады. Ал донорларда 
атомдар өздерінің 
басы бос электрондарын еркіндіке жібереді
. Сонымен қатар, 
әр қабатта меншікті заряд тасмалдауыштардан басқа, негізгі материалдың 
электрондарының валенттік аймақтан өткізгіш аймаққа ауысуынан болатын 
меншікті емес заряд тасымалдауштары да бар. 
Практика жүзінде, енгізілген акцепторлық 
N
а
және донырлық 
N
д
 
қоспалардың өз ара бірдей емес концентрациялары бар 
р-п - 
құрылымы ең көп 
тараған. Басқаша айтқанда 
р-п - 
құрылымының қабаттарында негізгі заряд 
тасымалдауыштардың концентрациялары 
n
n

N
д
және
р
р 

N
а
болып келеді де, 
бырақ олар өз ара бірдей емес. Көбінесе 
р-п - 
құрылымында концентрациялардың 
өзара 
N
а

N
д
 
(р
р 

n
n
) болуы типтік болып саналады. 
Бұндай жағдайда р-п – ауысуын симметриалы емес немесе сызықты емес 
кедергілі деп атайды.
Бұған мысал ретінде 1.5, ә-суретте, германиден жасалған
р-
п – 
құрылымыдарының
х
- осі бойынша заряд тасымалдауыштардың 
концентрациясының таратылуы графигі көрсетілген. Бұнда берілгені: негізгі 
заряд тасымалдауштардың концентрациясы р
р 
= 10
18
см
-3
,

жүктеу/скачать 2,72 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: