Электроника
Биполярлық транзисторлар
жүктеу/скачать 2,72 Mb. Pdf көрінісі
|
электроника
| 1.4 Биполярлық транзисторлар
1.4.1 Биполярлы транзисторлардың құрылымы мен құрылысы Биополярлық транзистор кезектесе орналасқан әр типті электр өткізгіш қасиеті бар үш аймақтан тұратын, екі р-n – аусуы бар, электр сигналын күшейте алатын шалаөткізгіш аспап. Ал заряд тасымалдаушыларының эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейтін - база . Ол транзистордың реттеуші, басқарушы электроды болып саналады. Әр аймақтан ток жүретін шықпалар (электродтар) шығарылып, олар эмиттер (Э) , коллектор (К) және база (Б) деп аталады. Латын тілінен аударғанда emitto - эмиттер - «шығарушы» да, ол транзисторды заряд тасушыларымен қамтамасыз ететін электрод болып табылады; collektor- колектор - «жыйнаушы» ретінде эмиттерден шыққан заряд тасушыдарын қабылдайды. Ал заряд тасымалдаушыларының эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейтін - база . Ол транзистордың реттеуші, басқарушы электроды болып саналады. n және р областарының өзара орналасуына байланысты олар n-р-n немесе р-n-р болып екіге жіктеліп, сұлбаларда өздеріне тән шартты белгілерімен кескінделеді. Тіке бағытты ығысқан бірінші асу эмитерлік деп, ал осы өткелекке жанасқан n (немесе р-n-р транзиторында р ) обылысын – эмитер деп атайды. 46 Кері бағытты ығысқан екінші асу коллекторлық деп, ал осы асуға жанасқан n (немесе р-n-р транзиторында р ) обылысын – коллектор деп атайды. Екі ауысудың ортасындағы облысты – база деп атайды. Салыстырып қарағанда, n-р-n және р-n-р транзисторларының жалпы жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек біріншісінде, ток түзетін заряд тасымалдаушылары негізінен электрондар да , екіншісінде – кемтіктер. Заряд тасымалдаушыларын жинау үшін n-р-n транзисторының коллекторына (электрондарды қабылдау үшін) оң кернеу түсіріледі де, р-n-р транзисторының коллекторына теріс кернеу беріледі. Олардың база кернеуі мен токтарының бағыттары да қарама-қарсы бағытта болады. 1.27 сурет - р-n-р (а)және n-p-n (в) типті транзисторлардың шалаөткізгіш құрылымы; олардың электрондық сұлбалардағы шартты белгілері (б, г) Шеткі аймақтардың бірі әрдайым күшті легирленген, оны эмитер деп атайды, оның мақсаты – негіз деп аталатын құрылымның ортаңғы аймағына тасымалдаушыларды енгізу. Тағы бір аймақ коллектор деп аталады, ол эмитерге қарағанда аз легирленген және негізгі аймақтан тасымалдаушыларды алуға арналған. Эмитер мен база арасындағы электронды-кемтік ауысуы эмиттер ауысуы деп аталады. Базалық-коллекторлық шекарадағы ауысу коллекторлық ауысу деп аталады. Бұл ауысу базаға енгізілген заряд тасымалдауштарды жинайды және оларды коллекторлық аймаққа жібереді. Осылайша, эмитерлік ауысу функциясы — заряд тасымалдаушыларын базаға енгізу (шығару), Ал коллекторлық ауысу функциясы — базалық қабаттан өткен заряд тасымалдаушыларын жинау. Эмитер арқылы өтетін зарядты тасымалдаушыларды коллекторда толығымен жинауы үшін коллекторлық ауысу ауданы эмитер ауысу аймағының ауданына қарағанда көбірек етіп жасалады. Ауысулар арасындағы қашықтық (базаның ені) өте аз: жоғары жиілікті транзисторларда ол 10 микрометрден аз (1 мкм = 0,001 мм), ал төмен жиілікті транзисторларда ол 50 мкм-ден аспайды. n-p-n және p-n-p транзисторларының жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек біріншісінде, ток түзетін заряд тасымалдауыштар электрондар да, екіншісінде – кемтіктер; осыған байланысты аталған заряд 47 тасымалдаушыларды жинау үшін n-p-n транзисторының коллекторына (электрондарды қабылдау үшін) оң кернеу түсіріледі де p-n-p транзисторының коллекторына теріс кернеу беріледі. жүктеу/скачать 2,72 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|