77
Электроны зоны проводимости являются, однако, не единственными
носителями заряда в собственном полупроводнике. Валентный электрон,
покидая свое место и переходя в зону проводимости, уносит одновременно
из данной области кристалла отрицательный заряд. Нейтральная до этого
область, потеряв отрицательный заряд, становится заряженной
положительно. Эта положительно заряженная в результате электронного
перехода область получила название – дырка. Электроны при своем
перемещении могут притягиваться областью положительного заряда,
дыркой, и заполнять ненасыщенную связь. Так электрон и дырка
компенсируют друг друга, или, как говорят в этом случае, рекомбинируют.
Если рекомбинация осуществляется за счет перемещения валентного
электрона из соседней области в область дырки, то положительный заряд
перемещается в обратном направлении. Внешне это выглядит так, будто
дырка двигается по кристаллу в сторону отрицательного электрода. Дырка в
кристалле обладает всеми свойствами частицы: скоростью, импульсом,
подвижностью, ей может быть приписана некоторая эффективная масса.
Однако, если электрон способен к самостоятельному существованию, то
дырка, естественно, вне кристалла не существует – это квазичастица.
Таким образом, при наложении внешнего электрического поля в
собственном полупроводнике происходит двоякий процесс: смещение
электронов зоны проводимости и независимое от него движение дырок в
противоположном направлении.
Носителями заряда в собственном полупроводнике являются
электроны зоны проводимости и дырки валентной зоны, то есть
осуществляется проводимость
n
–
р
-
типа.
Достарыңызбен бөлісу: