185
преломления (или толщины) или же того и другого одновременно) и слой
пространства. В настоящее время к ним добавились волновые элементы, а
также лазеры, полупроводниковые многоэлементные фотоприемники,
нелинейные оптические среды, разного рода дефлекторы и светоклапанные
устройства.
Основным «фотонным материалом» является арсенид галлия в отличие от
кремния, который можно назвать «электронным материалом». Однако его
период отличается от периода кристаллической решетки кремния. Созданы
галлий-нитридные лазеры синего и фиолетового света, УФ - диапазона.
Разрабатываются фотонные интегрированные схемы, в которых вся обработка
проводится на основе световых сигналов. Такие сигналы могут переноситься
световодами, впаянными в микросхему. Для коммутации световых сигналов
можно использовать нелинейные оптические эффекты. Для передачи светового
сигнала можно использовать трехмерные фотонные кристаллы. Структура
фотонного кристалла не должна поглощать свет нужной длины волны. Полная
фотонная энергетическая щель («совершенная оптическая изоляция») требует
большого различия по показателю преломления между элементами структуры и
окружающей средой. Примером является селеновое стекло, заключенное в
коллоидный кристалл диоксида кремния, который затем вымывается.
Образуется ближнее-инфракрасный фотонный кристалл.
Активно развивается гибрид электронных и фотонных технологий –
оптоэлектроника.
Достарыңызбен бөлісу: